你聽說的好像有很大的問題歐!
光阻劑,應該是 IC 製程中,屬於 lithography (黃光室)的部份。
日本美國早早就有商用產品。
如果,國內自己研發的東西 .... 可能沒有半導體廠商會用。
目前,光阻劑以DQN 系統為主。苯環旁邊有六角環上有-OH 和 =N2
照光以後,N2會跑掉六角環 剩 : (carbene)
carbene 會attact 笨環,再下來 -OH 會氧化行成 -COOH
顯影時,利用酸鹼性的不同, 照光部份有 -COOH 不照光部份-OH
可以分辨曝光區和非曝光區。
此外,還有利用PMMA 高分子,照光部份斷鍊,利用高分子的分子量不同,來顯影
..........
那裡可以找到資料啊!
找找,Introduction to Mircolithography
Semiconductor Lithography
光阻劑的英文是 resist .
資料比較多的期刊 J. Vac. Sci. Technol. B
Jpn. J. of Appl. Phys.
Microelctronic Eng.
交大都有。
如果你有什麼問題,mail 給我好了。大家可以討論一下。
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好友=摯友=良友
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* Origin: ★ 交通大學資訊科學系 BBS ★ <bbs.cis.nctu.edu.tw: 140.113.23.3>
==> zx....@cis.nctu.edu.tw (~**~) 在 chemistry 版提到:
: 聽說這個東東是清大與工研院研發的
: 那,那裡能查到相關資料ㄋ..........
我們實驗室就又在座這方面的研究
光阻photo resist 分兩種(不是私私喔) 正型與負型
正型:是一種prepolymer 照光後 架橋 其他因mask 而未架橋的polymer
可用溶劑將其溶解 即etching中的過程
photo-resist
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▁▂▃▄▅▆▇ 我是從 交大電子之伊電園 ( 140.113.11.111 ) 誕生的 ▇▆▅▄▃▂▁
@我的主人是從 Ben.Dorm13.NCTU.edu.tw 偷偷跑進伊電園的喔@
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: 可用溶劑將其溶解 即etching中的過程
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hmm.....我不太清楚貴實驗室對光阻劑的定義為何
但是就我所知道, 所看到的文獻上所提出的定義為
正型阻劑:
高分子鏈於曝光過程中, 曝光區的高分子鏈當接受相當的劑量時會有
斷鍵成低分子量的形式或是發生極性改變等化學反應, 所以在顯影過
程 (development) 中可借由選擇適當的顯影液將曝光區的阻劑除去
.
至於zx 兄所提到 "經由曝光後行曝光區有架橋行為" 的阻劑.. 應該是
屬於負型阻劑, 而此種阻劑在 "正常顯影過程" 中被除掉的是未曝光區
的阻劑, 至於還有所謂的 雙型阻劑 這屬於阻劑的特殊製程.. 在此也
就不多說了..
以上的敘述如有脫誤, 希望不吝賜教...
perfumer
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