在相同的生长条件下,在Si(111)-7*7表面7ML高的岛是稳定的,而在根3*根3表面5ML高的岛是稳定的,这些和界面相关的稳定性变化和界面电荷转移的结果有关。从相位积累模型的角度分析,可以认为界面相移发生了变化,它会影响系统量子化能级的能量,从而影响到薄膜的稳定性。