ESP 静电打孔 IGBT 双高功率、高频率开关单元，专利 DE10328937

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wernado

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Dec 30, 2009, 12:43:32 AM12/30/09

to nano-micro-optics-laser-technology

应用于ESP静电打孔，
透气度范围：80 C.U. – 2500 C.U.
纸幅走纸速度达到450m/min,纸幅幅宽达到1200mm
电路条件

对象精制纸，水松纸，卷烟纸，包装纸或者其他基质材料的微型或者纳米级的静电打孔，一个双HV fast switching IGBT′s,
MOSFET`s or HVFET′s 高功率/频率的电路就可以达到。电路本身有交替的时钟频率和可变的脉冲宽度，一个普通的负载电容和连接高压
变压器硅铁的自感应线圈就可以提升功率/频率转换，而不需要对频率进行共振操作。

电路的优点
在固定的时间操作窗口，可控的脉冲时钟以常量或者变量的频率，使得高压电火花穿过材质幅，产生孔的大小和范围。整个电路的重复频率能达到一个半导体产生
的双开关频率。

在每一个电火花道上的可变电流总和达到150 kHz的总开关频率是可行的。
同时，双半导体开关单元能达到仅有一个单元工作时的双倍功率水平。

应用领域
微型打孔
现在，柔型材料的超微型，微型，纳米级的打孔都能打出极小的孔和产品。这种打孔技术可应用在打孔量比较多的包装，填充，无机织工业，也可应用在科学和技
术领域。多年来，克重在20 ~150 g/sqm精制纸或者其他类型的纸张，静电打孔已经能在大区域打出孔。孔的大小在1 ~ 100 微米之间，
孔的分布可达到4 百万个每平方米，或者在一厘米的打孔区域达到200个/每平方厘米。透气度范围在50 ~2,500 C.U，每个孔的透气度达到
3~50 C.U
其他应用领域

新的双半导体可应用在建造混合驱动器，半导体高水平平台，或者支持电容，高压磁体变压器的高低转换器。

其他的优势如在频率/功率传输和能量损失比的高效率。
传统的冠状或者中型频率发生器达到30 KHz运行范围很容易改造成双频率和功率的水平。

电路条件对象精制纸，水松纸，卷烟纸，包装纸或者其他基质材料的微型或者纳米级的静电打孔，一个双HV fast switching IGBT
´s, MOSFET`s or HVFET´s 高功率/频率的电路就可以达到。电路本身有交替的时钟频率和可变的脉冲宽度，一个普通的负载电容和
连接高压变压器硅铁的自感应线圈就可以提升功率/频率转换，而不需要对频率进行共振操作。

电路的优点在固定的时间操作窗口，可控的脉冲时钟以常量或者变量的频率，使得高压电火花穿过材质幅，产生孔的大小和范围。整个电路的重复频率能达到一
个半导体产生的双开关频率。

在每一个电火花道上的可变电流总和达到150 kHz的总开关频率是可行的
同时，双半导体开关单元能达到仅有一个单元工作时的双倍功率水平。

应用领域
微型打孔
现在，柔型材料的超微型，微型，纳米级的打孔都能打出极小的孔和产品。这种打孔技术可应用在打孔量比较多的包装，填充，无机织工业，也可应用在科学和技
术领域。多年来，克重在20 ~150 g/sqm 精制纸或者其他类型的纸张，静电打孔已经能在大区域打出孔。孔的大小在1 ~ 100 微米之间，
孔的分布可达到4 百万个每平方米，或者在一厘米的打孔区域达到200个/每平方厘米。透气度范围在 50 ~ 2,500 C.U，每个孔的透气度达
到3 ~ 50 C.U

其他应用领域新的双半导体可应用在建造混合驱动器，半导体高水平平台，或者支持电容，高压磁体变压器的高低转换器。
• 其他的优势如在频率/功率传输和能量损失比的高效率。
• 传统的冠状或者中型频率发生器达到30 KHz运行范围很容易改造成双频率和功率的水平。

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IPM - International Perforation Management 国际工程管理公司
hi-tech engineering - China - Germany - Thailand
Mr. Werner Grosse 威尔那.克罗瑟先生
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