舉債擴產 非台灣DRAM產業生存之道 -黃崇仁為力晶科技董事長暨創辦人
cactus
日期: 2010/8/18
資料來源: 電子時報
內容: 過去台灣在DRAM產業上的主要技術合作來源包括日本、美國、南韓和德國，這幾大陣營各自在製程技術上有很大差別，最大差別在於德系業者採用溝
槽式(Trench)製程技術，在這一波金融風暴洗禮之下，成為被淘汰的陣營。
當年各廠面臨溝槽式和堆疊式(Stack)技術的十字路口時，日系東芝(Toshiba)、德系西門子(Siemens)和美系IBM都決定選擇發展溝
槽式技術，其他像是恩益禧(NEC)、三菱(Mitsubishi)、日立(Hitachi)、三星電子(Samsung Electronics)和
海力士(Hynix)則是押寶堆疊式技術。
溝槽式技術瓶頸浮現 僅西門子繼續發展
隨著半導體技術製程微縮進度到了90奈米以下，東芝和IBM漸漸面臨技術瓶頸，因此這兩家公司率先決定退出DRAM產業，唯一選擇繼續做下去的是西門
子，之後西門子將半導體部門獨立為英飛凌(Infineon)，最後是將記憶體事業群獨立成為奇夢達(Qimonda)，當時奇夢達也感受到溝槽式製程
的瓶頸壓力，但還是繼續往下微縮。
DRAM技術在90奈米製程以下，最關鍵的分界點就是溝槽式和堆疊式的機器設備，必須採用不同的設計方式。奇夢達知道設備商支援開發技術的重要性，因此
就要求美商應用材料(Applied Materials)等關鍵設備商，一定要持續開發溝槽式機器設備，以免設備端的資源全倒向堆疊式技術製程。
同時，奇夢達也積極拉攏台系DRAM廠，包括台塑集團旗下的南亞科、華亞科和華邦等加入奇夢達技術，讓溝槽式技術的規模在全球有足夠的產能，以能說服設
備廠商繼續生產。
半導體技術愈尖端 設備商支援與否成關鍵
在半導體領域中，當製程技術越走越尖端時，材料設備就會有很大的不同，一旦更換技術陣營，機器設備幾乎都要重新更換，如果DRAM業者製程技術都是延續
同一個陣營，在機器設備的沿用性上也較有優勢。
像現在爾必達(Elpida)和力晶、瑞晶等，從68奈米、65奈米到63奈米製程到下一世代的45奈米，都是維持同一技術基礎，機器設備也都可以沿用
下去。
再者，爾必達過去在50奈米研發上，曾經導入銅製程，但在新一代45奈米製程上，爾必達選擇放棄銅製程，持續使用鋁製程，這大概是全世界唯一在40奈米
世代還能持續用鋁製程的DRAM廠，爾必達甚至還想把銅製程繼續沿用到38奈米製程，這對於成本結構的降低有很大的幫助。
整體來看，如果導入50奈米製程的業者，必須增加銅製程和浸潤式微米曝光機台的投資，成本將增加30~35%，但50奈米相較63奈米增加的顆粒數卻不
到30%。
此外，像是在63奈米製程世代上，良率最高可以拉升至80~90%，但到了50奈米製程，即使是三星的良率要做到成本交叉點(Cross Over)，
頂多也只能拉到80%的良率，顯見半導體產業製程技術越往下微縮，良率越來越難提升，投資與報酬率不如以往這麼高。
簡而言之，半導體業產業每一個世代製程越往下走，其投資金額卻是越來越高，但產生的效應卻是越來越有限，這是物理上的限制，也是半導體產業的一大挑戰，
尤其是在30奈米製程以下，此物理效應會更為明顯。
DRAM產業由盛到衰 2009年大衰退史無前例
回顧1999年以前，全球DRAM產業百花齊放，共計有14家DRAM廠，包括三星、美光(Micron)、IBM、現代、西門子、NEC、日立、三
菱、東芝、力晶、茂德、南亞科、華邦、世界先進等，之後全球DRAM產業共經歷4次大整合，第1次是2001~2002年之間，IBM、東芝退出市場，
南韓的現代獨立半導體事業部門成立海力士，日系陣營的NEC、日立、三菱也整合成爾必達等。
到了2003~2004年，全球DRAM產業更只剩下5大陣營，包括三星和海力士；茂德和爾必達；力晶和奇夢達；南亞科、華亞科和華邦；最後則是美光；
然到了2007年後的這一波整合潮，全球5大陣營出現變化，南亞科和華亞科選擇和美光結盟，與奇夢達同一陣營的只剩下華邦，這時只有三星仍單打獨
鬥。
2009年這一波金融風暴，原因可推回2004~2006年期間，全球資本市場資金借貸非常寬鬆，每家DRAM廠都大舉借貸來擴充產能，導致
2008~2009年這一波有史以來最嚴重的衰退潮。
DRAM價格從2006年第4季1顆6美元，一路跌到2009年第1季只剩下0.6美元，幾乎只剩10分之1的價格，也讓全球所有DRAM廠都面臨鉅額
虧損壓力，多數DRAM廠只好把晶圓廠暫時停產，當時力晶13萬片的12吋晶圓廠產能，減產到最低1個月只生產2萬片。
奇夢達更在這次的衰退潮下宣布退出全球DRAM產業，剩下的4大陣營也出現轉變，茂德從海力士陣營轉投爾必達陣營，全球剩下三星、海力士、爾必達結合力
晶、瑞晶、茂德和華邦，以及美光結合南亞科和華亞科等4大陣營鼎立。
以目前全球4大陣營12吋晶圓廠產能來看，爾必達自己廠房有10萬片，加上力晶13萬片，加上瑞晶8萬片、茂德6萬片，總共有37萬片；而美光自己有8
萬片產能，加上南亞科3萬片和華亞科13萬片產能，共有24萬片產能；三星、海力士則分別有32萬片和26萬片產能。
三星追求利潤和ROE 殺價競爭機率不高
受到金融風暴重擊，2010年全球DRAM產業是史上頭一遭沒有任何1座新廠產能加入生產行列，但日前三星宣布要蓋1座月產能20萬片的半導體晶圓廠，
引發市場相當大的疑慮和擔憂。
深入瞭解，這座月產能20萬片的晶圓廠涵蓋3大項產品，包括60奈米以下的邏輯製程、NAND Flash和DRAM等，以三星目前市場規模和客戶需
求，其實不用擔心新產房擴充會造成供過於求的後果。
再者，三星現在的策略是追求獲利率和股東權益報酬率(ROE)為主，更不會希望把台灣這些DRAM廠都趕盡殺絕，如果只剩下三星在DRAM產業的市佔率
獨大，未來恐面臨美國反壟斷訴訟。
面對未來台灣DRAM產業的發展策略，最重要的就是不能再像過去一樣不斷舉債且盲目蓋廠，再投資個500億元讓DRAM價格又跌一半，然後大家又再一次
面臨鉅額虧損的磨難，這樣的遊戲以前力晶也是其中一員，但不能再重來一次，否則一旦面臨景氣反轉直下時，背負的鉅額負債問題，將會再度威脅到公司生存地
位。(黃崇仁口述，記者連于慧整理)
黃崇仁為力晶科技董事長暨創辦人，畢業於台大物理系、美國紐約市立大學西奈山醫學院醫學博士。