Peter Rachow - Sperrschicht

[checker]

Yep. Jede Diode besitzt eine innere Sperrschicht, das ist der Bereich, wo n-
und p-leitendes Material sich berühren. Diese Sperrschicht ist elektrisch
neutral, weil die unterschiedlichen Ladungsträger aus der n- und p-Schicht
dort rekombinieren und ungeladene Atome bilden. Wird die Diode so in den
Stromkreis eingebaut, dass die Sperrschicht minimiert wird (- Pol des
Stromkreises auf Kathode der Diode), können Elektronen diese elektrisch
nicht leitende Schicht überwinden, zumindest wenn sie genug Energie
mitbringen.

Ein Maß für die Energie eines Elektrons (e-) ist die elektrische Spannung.
Die Energie, die ein Elektron benötigt, um die Sperrschicht zu überwinden,
kann man dann am Spannunbgsabfall zwischen den Polen der Diode ablesen. Bei
Si sind das ca. 0,6V. Weiterhin bedeutet dies, dass ein e- eine bestimmte
Spannung braucht, um eine Diode druchfließen zu können. Ist die Energie
geringer (U<~06V für Si), kommt (fast) kein Stromfluss zu Stande.

hth

Peter

[jvalh]

checker wrote:
> Yep. Jede Diode besitzt eine innere Sperrschicht, das ist der Bereich, wo n-

> und p-leitendes Material sich ber�hren. Diese Sperrschicht ist elektrisch
> neutral, weil die unterschiedlichen Ladungstr�ger aus der n- und p-Schicht

> dort rekombinieren und ungeladene Atome bilden. Wird die Diode so in den
> Stromkreis eingebaut, dass die Sperrschicht minimiert wird (- Pol des

> Stromkreises auf Kathode der Diode), k�nnen Elektronen diese elektrisch
> nicht leitende Schicht �berwinden, zumindest wenn sie genug Energie
> mitbringen.
>
> Ein Ma� f�r die Energie eines Elektrons (e-) ist die elektrische Spannung.
> Die Energie, die ein Elektron ben�tigt, um die Sperrschicht zu �berwinden,

> kann man dann am Spannunbgsabfall zwischen den Polen der Diode ablesen. Bei
> Si sind das ca. 0,6V. Weiterhin bedeutet dies, dass ein e- eine bestimmte

> Spannung braucht, um eine Diode druchflie�en zu k�nnen. Ist die Energie
> geringer (U<~06V f�r Si), kommt (fast) kein Stromfluss zu Stande.
>
> hth
>
> Peter

Uebersetzung:

Yep. Every diode owns an internal locking layer, this is the area, where
n- and p leading material to itself ber�hren. This locking layer is
electric
neutrally, because the different Ladungstr�ger from n-and p layer
there rekombinieren and uninvited atoms form. If the diode becomes thus
in him
Circuit built-in that the locking layer is minimized (-pole
Of circuit on cathode of the diode), to k�nnen electrons this electrically
not leading layer �berwinden, at least if they enough energy
bring.

A Ma� f�r the energy of an electron (e-) is the electric tension.
The energy, an electron ben�tigt, around the locking layer to
�berwinden, if one can read then in the Spannunbgsabfall between the
Poles of the diode. With Si are approx. 0.6 V. Furthermore this
signifies, that one an e certain one
Tension needs, around a diode druchflie�en to k�nnen. If is the energy
more slightly (U <~06V f�r Si), (almost) no stream river takes place.

hth

Peter