Memoria ad Accesso Casuale
Raul
(SIMM, DIMM, DRAM, SRAM, ecc..) ?
GRAZIE IN ANTICIPO A CHI MI RISPONDERà.
Giuseppe Carnazzola
Raul <toz...@tin.it> wrote in message 7lsunu$mtf$1...@nslave1.tin.it...
> Quali sono le differenze e quali sono i differenti tipi di memoria RAM
> (SIMM, DIMM, DRAM, SRAM, ecc..) ?
>
> GRAZIE IN ANTICIPO A CHI MI RISPONDERà.
SRAM: Ram statica, si carica un programma e lo si tiene in RAM gestendo
l'insieme fisso delle locazioni.
DRAM: Ram dinamica, si carica un programma e lo si esegue; il computer
riordina le locazioni durante l'esecuzione(modifica la posizione e le
locazioni occupate).
SIMM: Singolo modulo di memoria; tante SIMM uguali determinano la quantita'
totale. Una SIMM contiene 72 contatti.
I nuovi DIMM introdotti per i computer basati su processori PENTIUM
contengono 168 contatti.
da: dca...@tin.it
Luca Fini
> > Quali sono le differenze e quali sono i differenti tipi di memoria RAM
> > (SIMM, DIMM, DRAM, SRAM, ecc..) ?
>
> SRAM: Ram statica, si carica un programma e lo si tiene in RAM gestendo
> l'insieme fisso delle locazioni.
> DRAM: Ram dinamica, si carica un programma e lo si esegue; il computer
> riordina le locazioni durante l'esecuzione(modifica la posizione e le
> locazioni occupate).
Cos'e', uno scherzo ?
SRAM: Storage Random Access Memory. Il nome si riferisce alla tecnologia
usata per la realizzazione delle memorie. Nelle SRAM gli elementi di
memorizzazione sono circuiti logici bistabili.
DRAM: Dinamic Random Access Memory. Gli elementi di memorizzazione sono
costituiti da capacita' (realizzate con tecnologia MOS).
Le memorie DRAM sono in generale piu' compatte e richiedono minor potenza
delle memorie SRAM, a parita' di altri elementi tecnologici. Nel primo
caso una cella di memoria (1 bit) richiede un singolo transistor ed una
capacita', nel secondo occorrono circa sei transistor per ogni cella.
Le memorie DRAM sono in generale piu' lente delle memorie SRAM, anche
perche' la carica contenuta nelle capacita' deve essere periodicamente
rigenerata (refreshing) a causa delle perdite resistive. Questa operazione
viene effettuata dalla circuiteria interna della memoria.
> SIMM: Singolo modulo di memoria; tante SIMM uguali determinano la quantita'
> totale. Una SIMM contiene 72 contatti.
> I nuovi DIMM introdotti per i computer basati su processori PENTIUM
> contengono 168 contatti.
SIMM e DIMM indicano invece il modo di raggruppare piu' chip di memoria su
un singolo supporto in modo da costituire "moduli" di maggior capacita'.
SIMM= Single Inline Memory Module; DIMM= Dual Inline Memory Module; sono
appunto piu' chip di memoria assemblati su una piccola scheda di circuito
stampato con un connettore a pettine su un lato. Si distinguono
essenzialmente perche' il connettore ha contatti su una sola faccia
(Single) oppure sulle due facce (Dual). Nessuno dei due tipi di
organizzazione e' legato in particolare al tipo di processore: sono
semplicemente diverse "confezioni" della memoria.
l.f.
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-- ) Luca Fini Tel: +39 055 2752 307
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Andrea B.
<7lvmgg$7sa$1...@nslave1.tin.it>, "Giuseppe Carnazzola" <dca...@tin.it>
scrisse:
>Raul <toz...@tin.it> wrote in message 7lsunu$mtf$1...@nslave1.tin.it...
>> Quali sono le differenze e quali sono i differenti tipi di memoria RAM
>> (SIMM, DIMM, DRAM, SRAM, ecc..) ?
>>
>> GRAZIE IN ANTICIPO A CHI MI RISPONDERà.
>
>SRAM: Ram statica, si carica un programma e lo si tiene in RAM gestendo
>l'insieme fisso delle locazioni.
>DRAM: Ram dinamica, si carica un programma e lo si esegue; il computer
>riordina le locazioni durante l'esecuzione(modifica la posizione e le
>locazioni occupate).
Oplà!!!!!
Chi mai te l'ha detto?!?!?
SRAM (Static RAM): memoria (ad accesso casuale in lettura/scrittura)
costituita da (milioni di) celle, le quali sono realizzate in pratica
da bistabili, quindi abbastanza complesse.
Molto veloci (pochi nsec sono sufficienti per avere il dato in
uscita).
DRAM (Dynamic RAM): memoria (ad accesso casuale in lettura/scrittura)
la cui cella elementare é talmente "semplificata" da avere bisogno di
un rinfresco periodico (ogni tot msec) per non perdere il dato
immagazzinato.
Cella quindi molto piccola --> molte celle in poco spazio --> grande
capacità per chip e minor costo per bit.
Sono infatti le RAM più capaci in assoluto, oltre ad essere il
componente più usato in microelettronica.
Più lente delle SRAM.
Mi sai che hai letto i termini Static e Dynamic con un occhio troppo
"software"... ;-)
>da: dca...@tin.it
:-)
Ciao
Andrea
--
Andrea B. <ab_key...@yahoo.com>
Giuseppe Carnazzola
Luca Fini <lf...@arcetri.astro.it> wrote in message
Pine.LNX.4.10.990708...@lfini.arcetri.astro.it...
> On Wed, 7 Jul 1999, Giuseppe Carnazzola wrote:
> >
DRAM, mentre il messagio di risposta si riferisce alla tecnica con cui si
costruiscono.
Le due tecniche prevedono una gestione diversa: bits stabili su dei
flip-flop nel primo caso, refresh per scarica del MOS nel secondo caso.
Poiche' viene usato l'algoritmo LRU per modificare i singoli bits man mano
che i MOS vengono scaricati, si trova la situazione descritta.
Stiamo analizzando il problema da punti di vista molto diversi.
Luca Fini
Puo' darsi, ma la risposta che avevi dato mi sembra ancora quanto meno
fuorviante, per questo rispondo di nuovo. Riporto domanda e risposta
originali per far capire meglio a chi ci legge i termini del discorso:
On Wed, 7 Jul 1999, Giuseppe Carnazzola wrote:
> > Quali sono le differenze e quali sono i differenti tipi di memoria RAM
> > (SIMM, DIMM, DRAM, SRAM, ecc..) ?
>
> SRAM: Ram statica, si carica un programma e lo si tiene in RAM gestendo
> l'insieme fisso delle locazioni.
> DRAM: Ram dinamica, si carica un programma e lo si esegue; il computer
> riordina le locazioni durante l'esecuzione(modifica la posizione e le
> locazioni occupate).
Tu dici che il computer "riordina" le locazioni durante l'esecuzione e ne
"modifica" la posizione. Questo non e' assolutamente vero, la posizione
(suppongo tu intenda l'indirizzo) in memoria non viene affatto modificata,
La circuiteria della DRAM si limita ad effettuare un "refresh" dei singoli
bit periodicamente (fra l'altro mi pare di ricordare che il refresh sia di
tipo ciclico e quindi non con algoritmo LRU, ma su questo non sono sicuro
e non escludo che esistano DRAM in cui il refresh avviene in modo diverso)
ma l'operazione non influenza il comportamento esterno della memoria (se
non per aspetti temporali) e quindi il "computer" (credo tu intenda la
CPU) non e' coinvolto in alcun modo nell'operazione.
Se poi vogliamo scendere ancora in dettaglio e' fuorviante anche il
riferimento al "programma" caricato in memoria: il funzionamento di SRAM e
DRAM e' indipendente dal fatto che in memoria siano caricati programmi o
dati; avviene, diciamo, a livello hardware ed il software "non se ne
accorge" (sempre trascurando la diversa velocita' di accesso dei due tipi
di memoria).
Ciao,
Andrea B.
<7m5qdu$h8m$1...@nslave1.tin.it>, "Giuseppe Carnazzola" <dca...@tin.it>
scrisse:
>Le argomentazioni esposte riguardano il funzionamento delle SRAM e delle
>DRAM, mentre il messagio di risposta si riferisce alla tecnica con cui si
>costruiscono.
Le DRAM e le SRAM sono quelle descritte. E non c'entra niente la
"rilocabilità" o la modalità di esecuzione di programmi...
>Le due tecniche prevedono una gestione diversa: bits stabili su dei
>flip-flop nel primo caso, refresh per scarica del MOS nel secondo caso.
OK...
>Poiche' viene usato l'algoritmo LRU per modificare i singoli bits man mano
>che i MOS vengono scaricati, si trova la situazione descritta.
Cos'é ??????????
>Stiamo analizzando il problema da punti di vista molto diversi.
Sì.
Uno giusto, e uno del tutto errato...
Giuseppe Carnazzola
Andrea B. <ab_keysersozeALLA@LaRgA_yahoo.com> wrote in message
378ad89...@news.tin.it...
> >Poiche' viene usato l'algoritmo LRU per modificare i singoli bits man
mano
> >che i MOS vengono scaricati, si trova la situazione descritta.
>
> Cos'é ??????????
>
> >Poiche' nelle DRAM si ha la corrente di scarica ed il relativo refresh, i
bits possono anche essere eliminati.
Gli algoritmi per "ristrutturare" le singole locazioni possono essere
ciclici(dal primo all'ultimo in lista circolare) oppure LEAST RECENTLY USED
(LRU-Algoritmo) (compattamento sulle locazioni piu' recenti).
Pare che l'unico utilizzato sia quello ciclico.
Il problema e' effettivamente stato descritto del tutto.
Effettivamente, come rilevato, la soluzione proposta e' mal posta in quanto
si descrive solo il funzionamento della quantita' di bits in transito e da
memorizzare, mentre poi cio' non influenza in alcun modo ne' il computer,
ne' il software in esecuzione che occupera' posizioni fisiche diverse ma
sempre lo stesso spazio a livello di Kb o di Mb.
>
> Ciao
> dca...@tin.it
Giuseppe Carnazzola
> From Fri, 9 Jul 1999, Giuseppe Carnazzola wrote:
>
Si e' convenuto che:
SRAM- circuiti che non cambiano il loro stato. Il sistema e' statico.
DRAM- Mos di scarica. Il sistema e' dinamico perche' i condensatori si
scaricano e variano il loro stato.
Queste argomentazioni di tipo elettronico non determinano effettivamente
comportamenti particolari per lo stesso computer o per il software in
esecuzione.
Non e' troppo definito quale algoritmo gestisce il refresh; in pratica si
possono utilizzare sia quello ciclico che quello LRU con risposte diverse.
Grazie, doverbbe essere tutto.
Marco Fabiani
Giuseppe Carnazzola ha scritto nel messaggio
<7mcu9p$p0d$1...@nslave1.tin.it>...
>Non e' troppo definito quale algoritmo gestisce il refresh; in pratica si
>possono utilizzare sia quello ciclico che quello LRU con risposte diverse.
LRU per il refresh e' una novita'. Se sei capace di progettare una cella a
un MOS che non necessita di refresh fatti assumere alla Intel.
Per la cronaca: usare LRU significa che alcune celle non vengono mai
rinfrescate, altre molto di rado.
Marco