come funziona il Bjt
adriano meis
Ho delle domande da porre sul comportamento di un Bjt. Esse le riferirň al
pnp al germanio (perché devo comprendere questo tipo di Bjt, ma penso che il
caso sia analogo al caso npn o al caso del silicio.
Le relazioni di ebers moll sono per il Bjt pnp:
Ib = Ieo * (1-aF) (e^(veb/vt)-1) + Ico * (1-aR) * (e^(vcb/vt)-1)
Ie = Ieo * (e^(veb/vt)-1) + Ico * aR * (e^(vcb/vt)-1)
Ic = Ieo * aF * (e^(veb/vt)-1) + Ico * * (e^(vcb/vt)-1)
Con:
aF = bF/(1+Bf)
aR = bF/(1+Bf)
sia inoltre
ora le domande sono:
1) che cosa legittima il fatto che, se vbc<0, allora sia possibile
considerare la veb circa costante al valore veb=vON=0,14v?
(nel caso del silicio vale vON=0,6v). Come lo si deduce nel livello
matematico dalle equazioni di ebers-moll? Secondo me niente lo legittima.
Secondo me, ciň nasce dalla esistenza anche delle imposizioni topologiche
(la presenza di VCC e di Rc=la resistenza di collettore che solitamente sono
presenti nel 98% delle reti a Bjt) che impediscono alla Ic di crescere oltre
il certo valore di saturazione, infatti se Ic crescesse troppo, allora esse
tenderebbe a creare Vrc=Rc*Ic cosě elevata da creare vce<0, il che non č
possibile, per qualche motivo che ignoro per ora.
2)se la veb>0 allora č possibile che valga anche vec<0? E se la veb=vON
allora č possibile che valga vec<0?
2) nel caso dei Bjt al germanio, in quale intervallo rientrano i valori
possibili per: bR, Bf,Ico ed Ieo?
3) La vecsat esiste solo nel caso del BJT al silicio o anche al germanio? E
come č possibile dedurne nel livello matematico l'esistenza dalle relazioni
costitutive di Ebers- Moll?
4) La possibilitŕ di separare il comportamento del bjt nelle regione di
interdizione, normale diretta e di saturazione, č limitata solo per certe
configurazione de (bF,bR,Ico,Ieo) o č generale e valida per ogni
configurazione diei 4 parametri con i valori realistici?
5) Sia assegnato un sistema elettronico a bJT con un segnale di ingresso
"ving". Il mio fine consiste nel comprendere anche al livello grossolano per
quali intervalli di ving avvenga che il Bjt pnp al germanio sia a)saturo,
b)interdetto o c)normale diretto.
Mi dite se č corretto agire cosě:
a)per verificare quando č interdetto basta imporre: Ib,Ic,Ie=0 e veb<vON.
Questa disuguaglianza poi mi dice per quali ving č verificata
b) per verificare quando č normale diretto impongo: veb=vON e Ic=Ib e
vec>vecsat. Questa disuguaglianza poi mi dice per quali ving č verificata.
c) per verificare quando č saturo basta imporre: veb=vON, vec=vecsat,
ic<bF*Ib. Questa disuguaglianza poi mi dice per quali ving č verificata.
Oppure, per stabilire quando č saturo, sarebbe possibile impiegare le
stesse relazioni costitutive della regione normale diretta: Ic=bF*Ib
(anziché "<"), poi stabilire quando č saturo imponendo vec< vecsat anziché:
vec=vecsat?
Ma ha senso parlare di vec<vecsat?
6) E' possibile dire che il bjt si comporta in modo tale da impedire in ogni
caso, quando conduce (veb=vON), di fare scendere la vec al di sotto di un
certo valore di poco maggiore a zero?
7) Come si fa a calcolare vON se sia nota la configurazione Ico, Ieo, bF,
bR?
8) Quanto vale la vecsat nel caso del Bjt pnp al germanio (nel caso del
silicio vecsat=0,2 V) ? in ogni caso il suo valore deve essere minore a vON=
0,14 v? come se ne deduce il valore dalla configurazione (Ico,Ieo,bF,bR)?
9) La grandezza vt vale 25mV sia nel caso del npn che pnp che del silicio
che del germanio?
ciao
adriano