В компании Samsung Electronics завершили разработку модулей
памяти QDR SDRAM
13.11.2001, 13:30
Картинка к новости 'В компании Samsung Electronics завершили
разработку модулей памяти QDR SDRAM' Представители компании Samsung
Electronics заявили об окончании разработки модулей памяти QDR (Quad
Data Rate) SDRAM (на фото), скорость работы которых в 4 раза выше
скорости работы существующих на сегодняшний день SRAM-модулей.
Частота работы представленного 16-мегабитного модуля составляет 200
МГц. Начало массового производства запланировано на конец текущего
года, а уже в 2002 году, по мнению аналитиков компании, продукт
"захватит" 30% мирового рынка модулей памяти и, возможно, станет
международным стандартом для изготовления подобных устройств.
Модуль памяти выполнен в FBGA-корпусе (13 х 15 мм), то есть в половину
меньше обычных модулей синхронной SRAM, что повышает
конкурентоспособность нового продукта.
На фото: модуль QDR SDRAM от Samsung
Источник:
Samsung Electronics
"
http://www.compulenta.ru/news/2001/11/13/22025/print.html"