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歡迎討論邱博文高中物理相關問題!
購買及出版問題請至
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請勿在此謾罵或做人身攻擊,謝謝!
備註:本討論區由費因曼客服人員管理,並不是由邱老師回應問題
因為公司人力有限,原則上客服只回覆講義的問題
,
請各位同學見諒。如要詢問講義特定題目或觀念,
請註明講義
章節、
頁碼及光碟影片編號
以便回應,講義的詳解可以到公司
下載專區
下載
,謝謝!
講義中的進階挑戰或是物理奧林匹亞,不提供詳解
:
進階題目大多都超出聯考範圍。
邱老師編寫這類題目是希望同學們練習獨立思考,
因此進階題目歡迎討論,但不提供詳解。
您可以說出您的想法跟疑惑,跟學校同學討論更好,
互相討論可以讓彼此的觀念更清楚。
如果方程式很多不好打或是需要繪圖,您可以(1)畫或寫在紙上(
2)拍照存檔到電腦中(3)發問時再貼到問題中
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保留至2012/12/31
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GLF
2/11/19
Q&A
金屬內電場問題(170318)
老師您好,講義上下方小心得第一點是寫「金屬內必無電場,不論內部空腔有無電荷。」 但光碟影片內的投影片是寫「金屬內必無電場,不論內部有無電荷。」 想請問哪一個敘述是對的呢?如果按照光碟的那不就違反p.35
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電子學
Q&A
金屬內電場問題(170318)
老師您好,講義上下方小心得第一點是寫「金屬內必無電場,不論內部空腔有無電荷。」 但光碟影片內的投影片是寫「金屬內必無電場,不論內部有無電荷。」 想請問哪一個敘述是對的呢?如果按照光碟的那不就違反p.35
2/11/19
郭俊偉
,
討論區板主
3
5/10/13
Q&A
ch21 電子學page47 210407 三分鐘處
您好: 不好意思晚回覆了 影片中NMOS應該是說「在G端接正,B端接負,稱逆向偏壓」(3:08處,剛好跟您寫的相反) 「在G端接正,B端接負,稱逆向偏壓」應該是類比於二極體的說法至於,在n通道和G接點
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電子學
Q&A
ch21 電子學page47 210407 三分鐘處
您好: 不好意思晚回覆了 影片中NMOS應該是說「在G端接正,B端接負,稱逆向偏壓」(3:08處,剛好跟您寫的相反) 「在G端接正,B端接負,稱逆向偏壓」應該是類比於二極體的說法至於,在n通道和G接點
5/10/13
郭俊偉
,
討論區板主
2
10/22/12
Q&A
電子學P22 第二點第二行(03:51)
您好: 在N型半導體中 一樣也有電子跟電洞 只是電子濃度跟電洞濃度相比,電子濃度較高(電子為多數載子,電洞為少數載子) 所以計算總電流時兩者都要算 您可以參考邱老師整理的電子學觀念問答題(請按右鍵「另存
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電子學
Q&A
電子學P22 第二點第二行(03:51)
您好: 在N型半導體中 一樣也有電子跟電洞 只是電子濃度跟電洞濃度相比,電子濃度較高(電子為多數載子,電洞為少數載子) 所以計算總電流時兩者都要算 您可以參考邱老師整理的電子學觀念問答題(請按右鍵「另存
10/22/12
郭俊偉
,
討論區板主
2
10/1/12
Q&A
電子學 P10 光碟210105 第2段第四列
您好: 您的問題屬於高中化學的範圍 不容易簡單說明 有關八隅體請參考維基 八隅體規則 ps此規則是有例外的,請見下一項參考資料 有關共價鍵請參考學習加油站 10-3 共價鍵 郭俊偉於 2012年9月29
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電子學
Q&A
電子學 P10 光碟210105 第2段第四列
您好: 您的問題屬於高中化學的範圍 不容易簡單說明 有關八隅體請參考維基 八隅體規則 ps此規則是有例外的,請見下一項參考資料 有關共價鍵請參考學習加油站 10-3 共價鍵 郭俊偉於 2012年9月29
10/1/12
郭俊偉
,
費因曼客服
2
9/28/12
Q&A
電子學 P14光碟210107 3分20秒
您好: 這部份的確切知識已超出客服能力範圍,所以無法詳述 不過在邏輯上, 當溫度升高時,使電阻增加(原子的運動)及降低(電洞增加)的因素都出現 那就是看哪種因素影響比較大 而電阻降低是實驗觀察的事實,
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電子學
Q&A
電子學 P14光碟210107 3分20秒
您好: 這部份的確切知識已超出客服能力範圍,所以無法詳述 不過在邏輯上, 當溫度升高時,使電阻增加(原子的運動)及降低(電洞增加)的因素都出現 那就是看哪種因素影響比較大 而電阻降低是實驗觀察的事實,
9/28/12
郭俊偉
2
9/26/12
Q&A
電子學 P33 上圖
沒事了,我了解了
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電子學
Q&A
電子學 P33 上圖
沒事了,我了解了
9/26/12
a24361780
, …
費因曼客服
6
9/28/12
Q&A
電子學
您好: 客服不清楚這數據的來源,會再詢問邱老師 不過室溫時約是3兆Si原子可供一自由電子 可參考此文件 也可以根據Si的密度、原子量、在室溫時的固有電子濃度這三項數據去推算 郭俊偉於 2012年9月28
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電子學
Q&A
電子學
您好: 客服不清楚這數據的來源,會再詢問邱老師 不過室溫時約是3兆Si原子可供一自由電子 可參考此文件 也可以根據Si的密度、原子量、在室溫時的固有電子濃度這三項數據去推算 郭俊偉於 2012年9月28
9/28/12