was genau ist der Unterschied zw. EEPROM und FLASH ???
Willi Wipfel
nachdem ich bemerkt habe das die Leute hier in diesem Forum sehr gut
und allwissend sind stell ich mal ne Frage:
Ich weis was ein EPROM etc. ist.
Auch das ein EEPROM nicht mit UV Licht, sondern Elektrisch gelöscht wird.
Aber was genau sind die Unterschiede zwischen EEPROM und FLASH ????
Danke im Voraus!
cu
Wil
Willi Wipfel
Es geht um:
- CMOS EEproms
- Flash EEproms
- Flash Eproms:
Wenn Ihr so nett seid einen Unwissenden weise zu machen... ;-)
cu
Wil
"Willi Wipfel" <willi....@gmx.de> schrieb im Newsbeitrag
news:3c2b56ea$0$14040$9b62...@news.freenet.de...
Henning Paul
> - CMOS EEproms
Byteweise schreib-/löschbar.
> - Flash EEproms
> - Flash Eproms:
Nur seitenweise schreib-/löschbar, außerdem Varianten mit unterschiedlicher
Technologie (z.B. 5V vs. 12V).
Gruß
Henning
--
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Volker Urban
> Willi Wipfel schrieb:
>> - CMOS EEproms
> Byteweise schreib-/löschbar.
>> - Flash EEproms
>> - Flash Eproms:
> Nur seitenweise schreib-/löschbar, außerdem Varianten mit unterschiedlicher
> Technologie (z.B. 5V vs. 12V).
ein bißchen knapp und ein bißchen falsch:
Flash: alt: extra (hohe) Spannung für Programmierung erforderlich
neu: eine Spannung (5V, 3.3 und 2.5) als Leistungsversorgung
Flash wird nach Struktur der Grundzelle in NAND und NOR flash untertteilt.
NOR ist grösser und daher wenig verbreitet aber byteweise addresierbar.
NAND ist nur blockweise löschbar. Für Schreiben/Lesen wird ein Teilbereiches
dieses Blockes (page) in einem Buffer gespiegelt. Auf diesen ist byteweiser
Zugriff möglich, das (langsame) Lesen/Schreiben des eigentlichen Flash
speicher ist nur pageweise möglich.
Die techniche Entwicklung geht wohl in Richtung NOR, also byteweisen
Zugriff, sobald NOR die Speicherdichte von NAND erreicht.
+volker-
Sebastian Fahrner
> Aber was genau sind die Unterschiede zwischen EEPROM und FLASH ????
Soweit ich weiß, wird in einem Gerät Flash für den Code-Speicher
eingesetzt, dann kann man neuere Betriebssystemversionen draufmachen.
EEPROM wird als Datenspeicher verwendet, z.B. für die Einstellungen
im Fernseher. Wenn ich mich nicht täusche, kann man EEPROMS sehr viel
öfter wiederbeschreiben als Flash.
MfG,
Sebastian
--
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Matthias Weißer
"Henning Paul" <henni...@gmx.de> schrieb im Newsbeitrag
news:9amf0a...@slowhand.paul.de...
> Willi Wipfel schrieb:
>
> > - CMOS EEproms
>
> Byteweise schreib-/löschbar.
Schreibvorgang dauert recht lange (ms)
> > - Flash EEproms
> > - Flash Eproms:
>
> Nur seitenweise schreib-/löschbar, außerdem Varianten mit
unterschiedlicher
> Technologie (z.B. 5V vs. 12V).
Schreibvorgang schneller (einige µs)
Schreibbar (Bit wird von 1 zu 0) ist ein Flash byteweise. Nur das Löschen
(Bit wird von 0 zu 1) geht entweder seiten oder bei manchen auch nur
Chipweise.
Beide können während des Schreib-/Löschvorgang nicht gelesen werden.
--
Matthias Weißer
http://www.matwei.de/
weis...@t-online.de
Oliver Bartels
wrote:
>Ich weis was ein EPROM etc. ist.
>Auch das ein EEPROM nicht mit UV Licht, sondern Elektrisch gelöscht wird.
>Aber was genau sind die Unterschiede zwischen EEPROM und FLASH ????
Im wesentlichen ist EEPROM für das eher häufige Schreiben kleiner
Einheiten (Byte, Wort) ausgelegt, während beim FLASH eher größere
Einheiten gleichzeitig vor dem Neubeschreiben gelöscht werden
müssen. D.h. EEPROM zielt auf kleine Datenmengen (Einstellungs-
und Konfigurationsspeicher) und Flash auf austauschbaren
Programmcode oder große Datenmengen (Bilder etc.).
Technisch ist es so, dass beim Flash durch die Blocklöschung das
Layout der Speicherzelle wesentlich vereinfacht wird. Es ist nämlich
relativ einfach, das echte Gate auf eine höhere Spannung zu legen,
um Elektronen auf das Floating Gate zu tunneln (Stichword Nordheim-
Fowler Tunneln), die gängige Chip-Technologie (Isolation durch PN
Übergänge) verbietet aber eine einfache Lösung für ein sehr negatives
Potential am Gate zum Löschen.
Beim EEPROM sind daher komplexe Maßnahmen pro Byte erforderlich,
beim FLASH behilft man sich mit mit Maßnahmen für den gesamten
Block, z.B. durch Erhöhen des Potentials der gemeinsamen Wanne
unterhalb des Speicherzellen-Blocks, was deutlich weniger Chipfläche
benötigt und somit größere Speicherdichten oder günstigere
Herstellungskosten erlaubt.
Gruß Oliver
--
Oliver Bartels + Erding, Germany + obar...@bartels.de
http://www.bartels.de + Phone: +49-8122-9729-0 Fax: -10
Volker Urban
>> Aber was genau sind die Unterschiede zwischen EEPROM und FLASH ????
> im Fernseher. Wenn ich mich nicht täusche, kann man EEPROMS sehr viel
> öfter wiederbeschreiben als Flash.
Nicht allgemein, Atmel gibt für seine Mikrokontroller mit Flash und EEPROM
eine wesentlich höhere Anzahl von Lösch/Schreibzyklen für den EEPROM an, aber
Für Speicherflash (nicht Bootflash v. Controllern) sind wohl Zyklenanzahlen
von 10 000 -100000 gängig. Der Ausfall einiger Blöcke während der
Lebenszeit ist dabei mit eingerechnet. Ebenso die Auslieferung mit
einzelnen unmbrauchbaren Blöcken. "Defect block managment" ist bei Flash
unbedingt notwendig.
+volker-