Gerhard Hoffmann <
ger...@hoffmann-hochfrequenz.de> wrote:
> Am 25.03.2018 um 21:00 schrieb
fl...@aluminium.mobile.teply.info:
>
>> Hmm, irgendwie hatte ich ON Semi nicht so recht auf dem Schirm.
>> Vermutlich, weil deren Datenblätter tendenziell schlechtere Eckdaten
>> ausweisen als die Konkurrenz. Naja, Datenblätter sind heute auch nicht
>> mehr das was sie einmal waren, in Sachen Rauschen muß man ja schonmal
>> froh sein, überhaupt Zahlen zu finden, und sei es nur Noise Figure bei
>> nicht näher spezifizierten Bedingungen...
>> Zum 1/f-Rauschen findet man nur sehr selten etwas verwertbares :-(
>>
>> Ich meine, bei ein paar Japanern hätte es früher deutlich
>> aussagekräftigere Diagramme gegeben, die auch tauglich waren, um
>> Designentscheidungen zu treffen (Einfluß von Beschaltungsimpedanz und
>> Biasbedingungen)
>
> JFET-Datenblätter waren selten dicker als ein Kochbuch aus der
> Sahel-Zone, egal von welchem Hersteller. Da hilft nur selber messen.
Messen, und Hoffen, daß das dann auch repräsentativ ist. Und bei
besonderen Anforderungen kommt man wohl kaum umhin, das auch an jeder
Lieferung zu verifizieren. Da hat ein Freund von mir auf die harte Tour
lernen müssen. Die hatten Varaktordioden verbaut und sich darauf
verlassen, daß die sich in der Serie genauso verhalten wie die Exemplare
aus den Prototypen. Hat auch ne ganze Weile gut funktioniert, doch dann
hat der Hersteller den Prozess in eine andere Fab verlagert, und die
Ingenieure dort haben den nicht genauso hinbekommen wie in der alten
Linie. Gut genug, daß die Bauteile weiterhin die Specs im Datenblatt
erfüllen, aber nicht gut genug für die Anforderungen des Systems. Bei
den ersten paar tausend war der Leckstrom halt um einige Größenordnungen
geringer als spezifiziert, während die Dioden aus der neuen Fab die
Datenblattwerte "nur" noch um eine Größenordnung unterbieten. Damit
reissen die VCOs dann die Rauschlimits der Anwendung.
Bei den Datenblättern die ich oben im Sinn hatte handelt es sich
bezeichnenderweise auch ausschließlich um Biploartransistoren.
Größtenteils aus Japan, aber ich bin der Meinung ich hätte auch mal
ähnliches bei Philips oder Siemens gesehen.
Deswegen werde ich mir wohl noch ein paar davon hinlegen. Für's Hobby
ist Nachlieferbarkeit ja nicht unbedingt ein Thema, wenn weg dann weg.
Und mit ein paar hundert Stück werde ich wohl mehr Oszillatoren und
ähnliches bauen können als ich je sinnvoll verwenden kann.
> Wenn Du ernsthaft niedriges Rauschen und niedrige 1/f bei FETs
> willst, sieh dir den IF3601 / 3602 von Interfet an. (Mouser)
> Das sind aber alles Individualisten. Bei den IF3602-Paaren
> bekommt man wenigstens keine gegensätzlichen Outlier, aber
> gematcht geht anders. 300 pV/rtHz / 30 Hz corner / viel C
> <
>
https://www.flickr.com/photos/137684711@N07/37321004540/in/album-72157662535945536/
>>
>
> Ein IF3602 kostet immerhin €50.
>
Naja, privat würde ich mir die dann wohl eher nicht hinlegen. Für die
Arbeit wär's was anderes, aber da muß ich ja auch nicht selber bezahlen
;-)
Für eine potentielle Anwendung wär' das wohl genau das richtige: Messung
von 1/f-Rauschen an winzigen MOSFETs unter widrigen Biasbedingungen.
Also devices mit Sättigungsströmen von ein paar hundert Mikroampere, und
betrieben im Subtreshold-Bereich, also bei Drainströmen um hundert
Nanoampere. Ein paar Peaks, die das eigentliche Messsignal um
Größenordnungen überragen, sind da noch das geringste Problem. So
16,7Hz, 50Hz nebst jeweiliger Oberwellen...
Das ganze dann bitte auch ausreichend breitbandig, um auch
den Übergang ins thermische Rauschen des Kanals nachweisen zu können,
also bitteschön bis mind. 10 MHz, besser mehr.
Dann hätten Sie wenigstens noch Geld dafür bekommen, statt Finanzen für
Umstrukturierungsmaßnahmen verbuchen zzu müssen ;-)
Die Frag ist, ob Diodes tatsächlich interessiert gewesen wäre, sich
noch ne Fab ans Bein zu binden, ohne echte Aussicht auf Synergieeffekte.
Sofern ich mich nicht täusche hat Diodes ja bislang nur Silizium im
Programm, und HP/Avago war größtenteils III/V-basiert.
Gruß,
Florian