MOSFET-Transistor überprüfen
Thomas Weißmüller
ich versuche gerade meinen Monitor zu reparieren (Schaltnetzteil startet
nicht wegen Überlastung...) und habe mich einfach mal vom Netzteil bis hin
zum Zeilentrafo "durchgelötet". Sagen wir besser, ich habe verdächtige
Komponenten auf der Sekundärseite des SNTs abgelötet und mal geschaut, ob
das Netzteil dann wieder arbeitet (nein, ich habe leider keinen Schaltplan
:( ).
Wenn ich einen dicken MOSFET-Transistor (FS10UM,
http://www.mitsubishichips.com/data/datasheets/power/pdfs/20000320.pdf)
ablöte, startet das Netzteil vernünftig.
Nun meine eigentliche Frage: Kann man MOSFETs genauso überprüfen wie
"normale" Transistoren? Ist MOSFET (Feldeffekt, oder?) nur eine
Funktionsprinzipbeschreibung, oder verändert es wesentliche Charakterzüge?
Ich kann beim Durchmessen nämlich keine Sperrschichten entdecken (mach ich
was falsch?), zwischen Gate und Drain habe ich ca. 185 Ohm in beide
Richtungen, zwischen Drain und Source ca. 120 Ohm und zwischen Gate und
Source ca. 75 Ohm ...
Ist das Teil im Eimer? Hätte dann jemand zufällig einen Ersatztyp im Ärmel?
Gruß
Thomas
Thomas Weißmüller
> Ich kann beim Durchmessen nämlich keine Sperrschichten entdecken (mach ich
> was falsch?), zwischen Gate und Drain habe ich ca. 185 Ohm in beide
> Richtungen, zwischen Drain und Source ca. 120 Ohm und zwischen Gate und
> Source ca. 75 Ohm ...
Habe so eben einen anderen MOSFET auf der Platine entdeckt (gleicher Typ),
der scheint Sperrschichten in alle Richtungen zu haben, nur zwischen Source
und Drain habe ich in eine Richtung leichten Durchgang. Aber die anderen
Fragen könnt ihr mir trotzdem beantworten ;-)
Thomas
Ralf A. Eckhardt
> [MOSFET durchmessen]
> Aber die anderen Fragen könnt ihr mir trotzdem beantworten ;-)
Danke, zu gütig :o)
Nu denn, ein Blick in ein Lexikon/Fachbuch/Google Deiner Wahl [1]
zeigt den prinzipiellen Aufbau eines Metal-Oxide-Semiconductor-FETs:
----------------
| |d
| |-'
| ---||<
| g |-.
| |s
----------------
Im Gegensatz zum (junction-)FET ist das Gate nicht durch eine
Sperrschicht, sondern durch eine Oxidschicht isoliert. Und
btw. ist zwischen Source und Drain bei keinem FET irgendeine
Sperrschicht sondern nur der Kanalwiderstand.
Und manchmal noch eine Schutzdiode parallel.
>> Ich kann beim Durchmessen nämlich keine Sperrschichten entdecken
Weil da keine sind...
> Habe so eben einen anderen MOSFET auf der Platine entdeckt (gleicher Typ),
> der scheint Sperrschichten in alle Richtungen zu haben, nur zwischen Source
> und Drain habe ich in eine Richtung leichten Durchgang.
Jetzt alles klar? Das gehört so.
>> zwischen Gate und Drain habe ich ca. 185 Ohm in beide Richtungen [...]
>> und zwischen Gate und Source ca. 75 Ohm ...
Und das gehört nicht so. Zwischen Gate und $IRGENDWAS gehört in mindestens
einer Richtung ein $SEHRGROSSER Isolationswiderstand.
HTH und 'nen schönen Gruß;
Ralf.
[1]: Horowitz, Hill, "The Art of Electronics", Cambridge Univerity Press
--
"Timeo danaos et dona ferentes."
(Vergil, Aeneis 2,49)
Josef Zimmermann
Der Durchgang in einer Richtung zwischen Drain und Source ist die
parasitäre Diode, die bei Power-Mosfets auf Grund der Halbleiterstruktur
vorhanden ist.
Einen MOSFET prüft man am besten mit einer kleinen Testschaltung.
ca. 10V -> R(1kOhm) -> LED -> FET (Drain) -> FET (Source) -> GND (0V)
Das Gate schaltet man dann abwechselnt an +10V und GND. Die LED sollte
dann ein bzw. aus gehen. (NMOS)
Noch eine Warnung: MOSFETs sind empfindliches Bauteile, auch wenn sie nicht
danach aussehen. Eine statische Entladung von ein paar 100V, und die
Sperrschichten sind zerstört.
Das Problem ist, das die Gatespannung zum vollständigen Aufsteuern des
Transistors in der Regel zwischen 5 und 10V liegt (NMOS).
Thomas Weißmüller wrote:
> "Thomas Weißmüller" <thomas.we...@t-online.de> schrieb:
>> Ich kann beim Durchmessen nämlich keine Sperrschichten entdecken (mach
>> ich was falsch?), zwischen Gate und Drain habe ich ca. 185 Ohm in beide
>> Richtungen, zwischen Drain und Source ca. 120 Ohm und zwischen Gate und
>> Source ca. 75 Ohm ...
Ja der ist defekt.
Grüße
Josef
Heiko Nocon
<thomas.we...@t-online.de> wrote:
>Nun meine eigentliche Frage: Kann man MOSFETs genauso überprüfen wie
>"normale" Transistoren? Ist MOSFET (Feldeffekt, oder?) nur eine
>Funktionsprinzipbeschreibung, oder verändert es wesentliche Charakterzüge?
Die funktionieren völlig anders als bipolare Transistoren und es sind
bei Prüfungen auch völlig andere Werte zu messen.
>Ich kann beim Durchmessen nämlich keine Sperrschichten entdecken
Gibt's auch nicht, jedenfalls nicht im Sinne der von bipolaren
Transistoren bekannten "Diodenstrecken".
>Ist das Teil im Eimer?
Jepp.
Noch ein Tip: Fast nie gehen MOSFETs in Horizontalendstufen von sich aus
ein. In aller Regel ist irgendwas bei dem Gekröse ringsrum nicht in
Ordnung oder die Spannung vom Netzteil ist zu hoch.
Es kann dir also ohne weiteres passieren, daß du den MOSFET tauschst und
das Austauschteil sofort wieder abraucht. Da die Power-MOSFETs nicht
ganz billig sind, ist es eine gute Idee, vor dessen Tausch auf jeden
Fall folgende Sachen zu machen:
1) Im Netzteil die kleinen Elkos auf der "heißen" Seite komplett
tauschen. Meist zwei bis drei Stück.
2) Die Dioden in unmittelbarer Umgebung des MOSFET checken und
nachlöten.
3) Die MKT-Kondensatoren in der Umgebung des MOSFET eventuell tauschen,
zumindest aber ebenfalls nachlöten.
4) Spannung am Gateanschluß checken (bei noch ausgebautem FET). Es
sollte hier eine Wechselspannung nachweisbar sein.
Damit hast du einen großen Teil der üblichen Todesursachen abgedeckt.
Raucht der MOSFET nach dem Tausch dann trotzdem sofort wieder ab, ist
mit ziemlicher Wahrscheinlichkeit die Hochspannungskaskade defekt.
Thomas Weißmüller
> On Sat, 5 Jan 2002 04:32:05 +0100, "Thomas Weißmüller"
> Noch ein Tip: Fast nie gehen MOSFETs in Horizontalendstufen von sich aus
> ein. In aller Regel ist irgendwas bei dem Gekröse ringsrum nicht in
> Ordnung oder die Spannung vom Netzteil ist zu hoch.
> Es kann dir also ohne weiteres passieren, daß du den MOSFET tauschst und
> das Austauschteil sofort wieder abraucht.
Das habe ich jetzt auch bemerkt ;-). Nach wenigen Sekunden am Netz hat sich
der auch wieder verabschiedet :( und das Netzteil schaltet wegen Überlastung
wieder ab.
> Da die Power-MOSFETs nicht ganz billig sind, ist es eine gute Idee,
> vor dessen Tausch auf jeden Fall folgende Sachen zu machen:
[...]
> 4) Spannung am Gateanschluß checken (bei noch ausgebautem FET). Es
> sollte hier eine Wechselspannung nachweisbar sein.
Jepp, Amplitude exakt 10 Volt (ohne FET als Last) ca. 55 kHz (grob
gemessen).
Danke für deine Hilfe und den anderen Postern für ihre Erklärungen. Ich
werde die Schritte alle mal durchchecken, aber erst mal müssen neue FETs
her, hab ja gar nichts mehr zum testen =).
Gruß
Thomas
Ulrich Fischer
sich aus
> > ein. In aller Regel ist irgendwas bei dem Gekröse ringsrum nicht
in
> > Ordnung oder die Spannung vom Netzteil ist zu hoch.
> > Es kann dir also ohne weiteres passieren, daß du den MOSFET
tauschst und
> > das Austauschteil sofort wieder abraucht.
> Das habe ich jetzt auch bemerkt ;-). Nach wenigen Sekunden am Netz
hat sich
> der auch wieder verabschiedet :( und das Netzteil schaltet wegen
Überlastung
> wieder ab.
MOSFETs können schon mal hops gehen, es ist mir nicht zu selten
vorgekommen, dass entweder keine Wärmeleitpaste vorhanden war oder Sie
nicht fest genug am Kühlkörper montiert waren. Das dauert dann
natürlich länger als ein paar Sekunden ;-)
> > Da die Power-MOSFETs nicht ganz billig sind, ist es eine gute
Idee,
> > vor dessen Tausch auf jeden Fall folgende Sachen zu machen:
> [...]
> > 4) Spannung am Gateanschluß checken (bei noch ausgebautem FET). Es
> > sollte hier eine Wechselspannung nachweisbar sein.
> Jepp, Amplitude exakt 10 Volt (ohne FET als Last) ca. 55 kHz (grob
> gemessen).
> Danke für deine Hilfe und den anderen Postern für ihre Erklärungen.
Ich
> werde die Schritte alle mal durchchecken, aber erst mal müssen neue
FETs
> her, hab ja gar nichts mehr zum testen =).
Hat Dein Monitor eigentlich getrennte Endstufen für Zeile und
Hochspannung. Falls es die Endstufe für den Dioden-Split-Trafo ist,
dann müsste ein DC/DC-Wandler vorgeschaltet sein, der die aus dem
Schaltpnetzteil stammende Spannung entsprechen der
Zeilen-/Horizontalfrequenz steuert. Wenn diese Zwischenregelung
ausfällt (deren Transistor also Kurzschluss hat), dann führt das IMMER
zum Abschuss der Zeilenendstufe oder der Dioden-Split-Trafo-Endstufe.
Gruß ULI