Batterie-Backup fuer SRAM
Stefan Rave
NV-SRAMs fuer 3.3V nicht gibt. Sollte ich eine Batterie oder einen Akku
benutzen? Und wie regelt man das mit der Ladekontrolle im Falle des
Akkus, oder wie klemme ich die Batterie ab, wenn externe Spannung
anliegt? Ich vermute, dass ich Batterie oder Akku nicht einfach parallel
zur Spannungsquelle anschliessen kann, weil die Batterie zerstoert und
der Akku ueberladen wuerde, richtig?
Olaf Kaluza
>Ich moechte ein nichtfluechtiges SRAM fuer 3.3 V "selber bauen", weil es
>NV-SRAMs fuer 3.3V nicht gibt. Sollte ich eine Batterie oder einen Akku
>benutzen? Und wie regelt man das mit der Ladekontrolle im Falle des
>Akkus, oder wie klemme ich die Batterie ab, wenn externe Spannung
>anliegt?
Ich wuerde eine Lithiumbatterie und zwei Shottky-Dioden nehmen.
>Ich vermute, dass ich Batterie oder Akku nicht einfach parallel
>zur Spannungsquelle anschliessen kann, weil die Batterie zerstoert und
>der Akku ueberladen wuerde, richtig?
Jau.
Problematischer wird es aber dafuer zu sorgen das es beim ein und
schalten der Versorgungspannung deiner Restschaltung nicht dazu kommt
das da ab und an mal ein Write auf eine zufaellige Adresse erfolgt.
Olaf
--
D.i.e.s.S. (K.)
Michael Woestenfeld
SR> Ich moechte ein nichtfluechtiges SRAM fuer 3.3 V "selber
SR> bauen", weil es NV-SRAMs fuer 3.3V nicht gibt. Sollte ich
SR> eine Batterie oder einen Akku benutzen? Und wie regelt man
SR> das mit der Ladekontrolle im Falle des Akkus, oder wie klemme
SR> ich die Batterie ab, wenn externe Spannung anliegt? Ich
SR> vermute, dass ich Batterie oder Akku nicht einfach parallel
SR> zur Spannungsquelle anschliessen kann, weil die Batterie
SR> zerstoert und der Akku ueberladen wuerde, richtig?
nimm eine Lithiumbatterie und einen MAX irgendwas von Maxim (fuer 3,3V
weiss ich so aus dem Kopf keinen Typen, Analog Devices macht inzwischen auch
sowas). Er sollte auch ein CE-Gating drin haben,
damit der Chipselect vom Ram beim Wegfall der Steuersignale
nicht floatet und dadurch sporadisch ein Writezyklus erfolgt.
Die Durchlaufzeit des CE-Gating liegt bei den neueren Typen um die 10 ns,
sollte also keine Probleme aufwerfen.
Tschuess,
Michael W.
Rainer Emling
>
> Ich moechte ein nichtfluechtiges SRAM fuer 3.3 V "selber bauen", weil es
> NV-SRAMs fuer 3.3V nicht gibt. Sollte ich eine Batterie oder einen Akku
> benutzen? Und wie regelt man das mit der Ladekontrolle im Falle des
> Akkus, oder wie klemme ich die Batterie ab, wenn externe Spannung
> anliegt? Ich vermute, dass ich Batterie oder Akku nicht einfach parallel
> zur Spannungsquelle anschliessen kann, weil die Batterie zerstoert und
> der Akku ueberladen wuerde, richtig?
Wenn Du eine Batterie benutzt, reichen 2 Schuottky-Dioden:
+ Netzgeraet------|>|--------------- + Verbraucher (RAM)
|
-
^
-
|
+ Batterie
Durch die Dioden wird die Spannung ca. 0.2-0,4V
kleiner.
Musst Du ausprobieren, ob das dann noch ausreicht,
oder ob Du die Spannung erhoehen musst.
Wenn Du statt der Batterie einen Akku nimmst,
wird das ganze durch Ladeschaltung natuerlich
komplizierter.
Aber eine Batterie sollte so ziemlich ewig
halten, ein Akku entlaedt sich mit der Zeit auch selbst.
Gruesse,
Rainer
--
Rainer Emling
E-Technik-Student, TU-Muenchen
Email: rem...@eikon.tum.de
Ulrich Prinz
>
> Hallo Stefan,
>
> SR> Ich moechte ein nichtfluechtiges SRAM fuer 3.3 V "selber
> SR> bauen", weil es NV-SRAMs fuer 3.3V nicht gibt. Sollte ich
> SR> eine Batterie oder einen Akku benutzen? Und wie regelt man
> SR> das mit der Ladekontrolle im Falle des Akkus, oder wie klemme
> SR> ich die Batterie ab, wenn externe Spannung anliegt? Ich
> SR> vermute, dass ich Batterie oder Akku nicht einfach parallel
> SR> zur Spannungsquelle anschliessen kann, weil die Batterie
> SR> zerstoert und der Akku ueberladen wuerde, richtig?
>
> nimm eine Lithiumbatterie und einen MAX irgendwas von Maxim (fuer 3,3V
>
> Michael W.
Hallo Stefan und Michael!
Nicht nur CE und müssen auf 0 bleiben um schreiben zu verhindern,
sondern auch OE, da bei abgeschalteten Ausgangstreibern etliche uA
weniger verbraucht werden. Da dann aber nur noch einige uA übrig
bleiben, wenn man CE und OE auf 0 legt, kann es je nach der zu
überbrückenden Ausschaltzeit des Gerätes einen GoldCap anstelle eines
Akkus verwenden und man kann sich die ganze Ledaelektronik sparen. Auch
kann die Betriebsspannung von vielen SRAMS im Standby, also mit /WE=Hi
/OE=/CE=Lo, auch 2,8V gesenkt werden und damit würden zwei Micro-Zellen
a 1,5V etliche Jahre 'Haltezeit' garantieren.
Wozu als der ganze Aufwand mit den Akkus und der Ladeelktronik?
--
--------------------------------------
Ulrich Prinz UPr...@ginko.de.nospam
remove .nospam to reply by eMail
--------------------------------------
Robby Gurk
denn ich muß eine kleine Anmerkung zu der von
*rem...@eikon.tum.de* am *13.10.98* erstellten
Nachricht mit dem Betreff
*Re: Batterie-Backup fuer SRAM* machen.
r> Wenn Du eine Batterie benutzt, reichen 2 Schuottky-Dioden:
r>
r> + Netzgeraet------|>|--------------- + Verbraucher (RAM)
r> |
r> -
r> ^
r> -
r> |
r> + Batterie
r>
r> Durch die Dioden wird die Spannung ca. 0.2-0,4V
r> kleiner.
Was macht man eigentlich mit den Steuersignalen der
gestützten RAMs? Läßt man die einfach an der übrigen
"Rest"-Schaltung ohne Vorsichtsmaßnahmen oder pullt
man zu sicheren Pegeln (GND / IC-Betriebsspannung)
oder sollte man noch Gatter vorschalten, die auch
von der Batterie mit gestützt werden?
Schließlich sollen ja keine ungewollten Schreib-
vorgänge stattfinden.
Robby
Peter Troester
MAXIM oder Dallas. Die sind speziell fuer diesen Zweck ausgelegt, kosten
nicht die Welt und MAXIM-Bausteine gibts auch im Einzelstueck.
Wenn man Low-Power RAMs nimmt ist der der Stromverbrauch so klein, dass
ein Akku schneller kaputt ist als eine Lithiumbatterie leer. Aus diesem
Grund gibt es auch u.a. von Dallas und Benchmark fertige gepufferte RAMs
mit integrierter Lithium-Batterie zu kaufen. RAMs mit Akku habe ich noch
nie gesehen.
--
Bis die Tage
Peter
|-------------+----------------------------------------|
| _"""_ | Peter Troester |
| ) O O ( | mailto:peter.t...@t-online.de |
| " ! " | |
| "" ~ "" | Who the hell is General Failure, |
| """"" | and why is he reading my hard disk ?!?|
|-------------+----------------------------------------|
Stefan Weinzierl
> Was macht man eigentlich mit den Steuersignalen der
> gestützten RAMs? Läßt man die einfach an der übrigen
> "Rest"-Schaltung ohne Vorsichtsmaßnahmen oder pullt
> man zu sicheren Pegeln (GND / IC-Betriebsspannung)
> oder sollte man noch Gatter vorschalten, die auch
> von der Batterie mit gestützt werden?
>
> Schließlich sollen ja keine ungewollten Schreib-
> vorgänge stattfinden.
Es reicht, wenn du das /CE-Signal auf High legst.
Das kannst du über ein Gatter bewerkstelligen, nur muß das Gatter auch
noch von der Batterie versorgt werden, und es dürfen keine undefinierten
Pegel an den übrigen Eingängen anliegen, da dies den Stromverbrauch
erhöht.
Die andere Möglichkeit wäre, wenn du das /CE-Signal mit einem Transistor
auf Low-Legst, solange die Betriebsspannung sicher anliegt.
--
Tschüß Stefan
/==================================================/
/ Homepage: http://home.t-online.de/home/StefanWz /
/ /
/ Ordnung ist glücklicherweise nur das halbe Leben /
/==================================================/
Thomas Prinz
Damit das Batteriegepufferte CMOS-RAM nicht nur mA sondern uA
zieht mussten Wiederstände an alle PINS.
Wie sieht's heute damit aus ?
Tschüss Thomas
** Mit freundlichen Grüßen aus Eberbach im Odenwald **
## CrossPoint v3.11 R ##
Michael Woestenfeld
UP> Nicht nur CE und müssen auf 0 bleiben um schreiben zu
1
UP> verhindern, sondern auch OE, da bei abgeschalteten
UP> Ausgangstreibern etliche uA weniger verbraucht werden. Da
UP> dann aber nur noch einige uA übrig bleiben, wenn man CE und
UP> OE auf 0 legt, kann es je nach der zu überbrückenden
UP> Ausschaltzeit des Gerätes einen GoldCap anstelle eines Akkus
UP> verwenden und man kann sich die ganze Ledaelektronik sparen.
UP> Auch kann die Betriebsspannung von vielen SRAMS im Standby,
UP> also mit /WE=Hi /OE=/CE=Lo, auch 2,8V gesenkt werden und
UP> damit würden zwei Micro-Zellen a 1,5V etliche Jahre
UP> 'Haltezeit' garantieren.
UP> Wozu als der ganze Aufwand mit den Akkus und der
UP> Ladeelktronik?
ich war fuer die Lithiumbatterie :-)
Goldcap ist zugegebenermassen eleganter, erfordert aber eine
hochsperrende Diode und man hat immer noch das Problem,
das Ram bei Versorgungsspannungs-Ausfall zu sperren.
Den Schaltungsteil vermisse ich in Deiner Antwort.
Fuer ein Einzelstueck lohnen sich da keine Experimente,
daher --> MAX irgendwas + Batterie oder Goldcap.
Tschuess,
Michael W.
Attila Kinali
> Es reicht, wenn du das /CE-Signal auf High legst.
>
Ich habe ein kleineres Problem, bei einem RAM ( Hitachi ) heisst es,
dass die beiden CS Leitungen auf GND bzw VCC mit +/- 0.2 V gehalten
werden müssen, damit das RAM in den PowerDown geht ( uA Bereich)
ansonsten bleibt der Stromverbrauch im mA Bereich ( ca 2 mA ).
Die CPU die mir nun die CS Signale zur Verfügung stellt ( bzw der
ResetController für CS2 ) garantiert mir allerdings nur Pegel +/- 0.5
V und auch in den Datenblättern von Logikgattern ist ein ähnlicher
Wert angegeben.
Ich bin nun darauf angewiesen das das RAM in den Powerdown geht, wie
wäre das zu bewerkstelligen
Problem wie halte ich die Pegel auf max. +/- 0.2 V ein ?
Attila Kinali
Stefan Weinzierl
> Ich habe ein kleineres Problem, bei einem RAM ( Hitachi ) heisst es,
> dass die beiden CS Leitungen auf GND bzw VCC mit +/- 0.2 V gehalten
> werden müssen, damit das RAM in den PowerDown geht ( uA Bereich)
> ansonsten bleibt der Stromverbrauch im mA Bereich ( ca 2 mA ).
> Die CPU die mir nun die CS Signale zur Verfügung stellt ( bzw der
> ResetController für CS2 ) garantiert mir allerdings nur Pegel +/- 0.5
> V und auch in den Datenblättern von Logikgattern ist ein ähnlicher
> Wert angegeben.
> Ich bin nun darauf angewiesen das das RAM in den Powerdown geht, wie
> wäre das zu bewerkstelligen
> Problem wie halte ich die Pegel auf max. +/- 0.2 V ein ?
Die eine Möglichkeit wäre, das nachzumessen, ob das stimmt oder gleich
folgende Schaltung einzubauen.
Prozessorpin -----+
|
|
-----
\ / Diode
\ /
-----
|
+--------- RAM-Pin
|
+---+
| |
| | Widerstand
+---+
|
|
__|__
Masse
g.brets...@tmb.in-berlin.de
> Ich habe ein kleineres Problem, bei einem RAM ( Hitachi ) heisst es,
> dass die beiden CS Leitungen auf GND bzw VCC mit +/- 0.2 V gehalten
> werden müssen, damit das RAM in den PowerDown geht ( uA Bereich)
> ansonsten bleibt der Stromverbrauch im mA Bereich ( ca 2 mA ).
> Die CPU die mir nun die CS Signale zur Verfügung stellt ( bzw der
> ResetController für CS2 ) garantiert mir allerdings nur Pegel +/- 0.5
> V und auch in den Datenblättern von Logikgattern ist ein ähnlicher
> Wert angegeben.
> Ich bin nun darauf angewiesen das das RAM in den Powerdown geht, wie
> wäre das zu bewerkstelligen
> Problem wie halte ich die Pegel auf max. +/- 0.2 V ein ?
Gleich beide CS-Signale?
Ansonsten (bei den Strömen) Pull-Up/Pull-Down Wiederstand?
Tschüß
GERD
--
Forth (F-PC) für Anfänger, VGA-Grafikprogrammierung: "Brettis Forth Ecke"
und auch Eisenbahn/Modellbahn in: BBS Chat Noir, 030/382 26 99
G.Brets...@TMB.in-berlin.de
Tel. 030-6734583
MaWin
<zRQPRzJJ3x9i-pn2-K2dItUl7ZOXH@localhost>...
> Ich habe ein kleineres Problem, bei einem RAM ( Hitachi ) heisst es,
> dass die beiden CS Leitungen auf GND bzw VCC mit +/- 0.2 V gehalten
> werden müssen, damit das RAM in den PowerDown geht ( uA Bereich)
> ansonsten bleibt der Stromverbrauch im mA Bereich ( ca 2 mA ).
> Die CPU die mir nun die CS Signale zur Verfügung stellt ( bzw der
> ResetController für CS2 ) garantiert mir allerdings nur Pegel +/- 0.5
> V und auch in den Datenblättern von Logikgattern ist ein ähnlicher
> Wert angegeben.
> Ich bin nun darauf angewiesen das das RAM in den Powerdown geht, wie
> wäre das zu bewerkstelligen
> Problem wie halte ich die Pegel auf max. +/- 0.2 V ein ?
Einfach anschliessen, wenn es sich um eine CMOS-CPU (vermutlich) und
einen CMOS Reset Controller (unwahrscheinlich) handelt.
Beim CMOS Ausgang schaltet ein NMOS und ein PMOS-Transistor den Pin
mit einem geringen Widerstand (50R-1k) an GND bzw. VCC. Die Angabe
0.5V des Datenblatts bezieht sich IMMER auf einen STROM, den man
dabei aus dem Ausgang rausfliessen bzw. reinfliessen lassen kann.
Solange kein Strom fliesst, kann an dem Widerstand, den der
eingeschaltete Transistor bildet, auch keine Spannung abfallen.
Der Ausgang wird also deine RAM-Spezifikation einhalten WENN NICHT
GROUND-BOUNCE (ODER DASSELBE AN VCC) EINTRITT, d.h. andere Ausgaenge
schalten und der nicht unwesentliche Strom beim Umschalten (waehrend
der Zeit, in der beide Transistoren leiten bzw. die Kapazitaet, die
am Ausgang haengt, umgeladen wird) zu einem Spannungsabfall auf den
GND / VCC Zuleitungen fuehrt. (Lies Erklaerung zu GROUND BOUNCE
nochmal woanders nach, schwer knapp zu erklaeren). Wenn der Ground
Bounce nicht ausgeschlossen werden kann, kann sich ein EXTRA HC-MOS
GATTER lohnen, das mit GND / VCC auf kuerzestmoeglichem Weg ans RAM
VCC/GND angeschlossen wird.
--
Manfred Winterhoff
100326.2776 at compuserve.com
(remove NOSPAM if replying)
Ulrich Prinz
>
> Hallo Ulrich,
>
> UP> Nicht nur CE und müssen auf 0 bleiben um schreiben zu
> 1
werden.
>
> UP> verhindern, sondern auch OE, da bei abgeschalteten
> UP> Ausgangstreibern etliche uA weniger verbraucht werden. Da
> UP> dann aber nur noch einige uA übrig bleiben, wenn man CE und
> UP> OE auf 0 legt, kann es je nach der zu überbrückenden
> UP> Ausschaltzeit des Gerätes einen GoldCap anstelle eines Akkus
> UP> verwenden und man kann sich die ganze Ledaelektronik sparen.
> UP> Auch kann die Betriebsspannung von vielen SRAMS im Standby,
> UP> also mit /WE=Hi /OE=/CE=Lo, auch 2,8V gesenkt werden und
> UP> damit würden zwei Micro-Zellen a 1,5V etliche Jahre
> UP> 'Haltezeit' garantieren.
Tja und auch hier geht es natürlich nur dann, wenn /WE = /OE = /CE = Hi
liegen, oder bei einigen RAMS mit aktivem CE das ganze eben anders
herum.
>
> ich war fuer die Lithiumbatterie :-)
> Goldcap ist zugegebenermassen eleganter, erfordert aber eine
> hochsperrende Diode und man hat immer noch das Problem,
> das Ram bei Versorgungsspannungs-Ausfall zu sperren.
> Den Schaltungsteil vermisse ich in Deiner Antwort.
> Fuer ein Einzelstueck lohnen sich da keine Experimente,
> daher --> MAX irgendwas + Batterie oder Goldcap.
Zu dem Schaltungsteil sind genügend Infos gekommen, eine Diode, ein
Transistor und ein Widerstand sollten es tun. Das größte Problem denke
ich, ist daß der Prozessor noch etwas wildes mit dem RAM tut, in dem
Moment wo er spannungtechnisch 'stirbt'. Da gibt es IMHO nur eine
Lösung, nämlich den Spannungsgesteuerten Reset-Controller. Der resetten
dann rechtzeitig und versorgt zudem das RAM mit den nötigen
Ansteuerungen und auch gleich der 3,3V bis 3,0V Power aus der
Lithium-Zelle.
Das ist solide, einfach und erspart viel Zeit, was den geringfügig
höheren Preis sicherlich wett macht.
Ein weiterer Vorteil der ResetController ist auch der, daß man nicht
mehr von einer zufällig funktionierenden RC-Combination am uC abhängig
ist und auch ein Taster ist anschließbar, der sogar entprellt wird.
Ob es nun ein Maxim sein muß sei dahin gestellt, auch andere Firmen
haben da einiges zu bieten. Ich kann mich entsinnen, daß die Elektor mal
solch einen Baustein verwendet aht im aktuellen Jahr. Aber da müßte ich
suchen.
Es gab in der Lelektor ( ich glaube im Halbleiterheft) eine Schaltung,
die eine 80Cxx Schaltung dahingehend erweiterte, daß wenn man den uC in
PowerDown oder Idle geschaltet hat, auch RAM und EPROM in PowerSaving
Mode geschaltet wurde. Ging über ein Retriggerbares Monoflop, daß die
OE auf high legte anstatt es bei EPROM fest auf Low zu löten. So kann
eventuell die ganze Schaltung an einer Batterie betrieben werden, die
recht lange vorhält, und auch Dinge wie ein Ein- und Ausschalten per
Taster sind möglich.
CU, Ulrich.
--
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Ulrich Prinz upr...@ginko.de.nospam
please remove '.nospam' to reply by eMail
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Stefan Rave
Erstmal vielen Dank an alle "Poster". Jeder Hinweis ist mir willkommen.
Vorweg muss ich einen Irrtum meinerseits korrigieren: Es gibt *doch*
NV-SRAMs fuer 3,3 V; mittlerweile habe ich es bei Dallas gefunden. Das
DS1250W mit 512kx8 beispielsweise kostet etwa 50 US-$. Bislang hatte ich
nur Infos ueber Benchmarq vorliegen; dort ist NV-SRAM erstaunlicherweise
_wesentlich_ teurer (min. 300 DM fuer max. 512kx8; genaue Zahlen hab ich
gerade nicht vorliegen) und ausschliesslich fuer 5 V im Angebot.
Kann mir jemand sagen, wo ich Dallas-Komponenten in geringer Stueckzahl
(1, allenfalls 2) bekomme?
(Mein Senf ist hier noch nicht zu Ende, bitte unten weiterlesen.)
Stefan Weinzierl wrote:
>
> > Was macht man eigentlich mit den Steuersignalen der
> > gestützten RAMs? Läßt man die einfach an der übrigen
> > "Rest"-Schaltung ohne Vorsichtsmaßnahmen oder pullt
> > man zu sicheren Pegeln (GND / IC-Betriebsspannung)
> > oder sollte man noch Gatter vorschalten, die auch
> > von der Batterie mit gestützt werden?
> >
> > Schließlich sollen ja keine ungewollten Schreib-
> > vorgänge stattfinden.
>
> Es reicht, wenn du das /CE-Signal auf High legst.
>
> Das kannst du über ein Gatter bewerkstelligen, nur muß das Gatter auch
> noch von der Batterie versorgt werden, und es dürfen keine undefinierten
> Pegel an den übrigen Eingängen anliegen, da dies den Stromverbrauch
> erhöht.
Ich verstehe nicht, was das Gatter soll -- koennte ich /CE nicht einfach
per Pull-Up-Widerstand auf High ziehen? Ist es wegen des Stromverbrauchs
bei /CE = Low?
Die Frage ist natuerlich, was genau beim Ein- und Ausschalten passiert,
ob da nicht doch /CE mal kurz low geht, wo es nicht soll. Aus diesem
Grund tendiere ich jetzt dazu, einen NVRAM-Controller einzusetzen, durch
den das /CE-Signal geschleift wird und der /CE hochzieht, sobald die
Primaerspannung schwindet, und auf Batteriebetrieb umschaltet. In Frage
kaeme der DS1314, und schon habe ich wieder das obige
Bezugsquellenproblem. Segor beispielsweise hat von den vielen (etwa 20)
Dallas-NVRAM-Controllern nur einen am Lager (DS1210), und der ist fuer 5
Volt.
Die Methode mit den beiden Dioden scheidet wegen des Spannungsabfalls
und auch wegen der /CE-Frage aus.
Ich glaube, jemand hat mir hier auch Dallas-Sockel mit eingebauter
Batterie und NVRAM-Controller empfohlen. Das ist prinzipiell 'ne feine
Sache, aber nur fuer 5 V (und nur bis 128kx8). Danke trotzdem fuer den
Hinweis, war mir neu.
Die Sache mit den Goldcaps klingt nicht schlecht (in Verbindung mit
einem NVRAM-Controller). Hat jemand Erfahrung mit den Dingern? Wie lange
wuerden sie ein modernes Low-Power-SRAM im deaktivierten Zustand
versorgen? Und: Was kosten sie, wo bekomme ich sie?
> Die andere Möglichkeit wäre, wenn du das /CE-Signal mit einem Transistor
> auf Low-Legst, solange die Betriebsspannung sicher anliegt.
Hmm, das klingt so, als koennte /CE beim Ein- und Ausschalten immer noch
flattern, richtig? Und bei Batteriebetrieb hinge /CE in der Luft (bzw.
an spannungsloser Restschaltung), so dass mein CMOS-SRAM eventuell nicht
zuverlaessig in den Low-Power-Standby ginge, oder seh ich das falsch?
So, genug gefragt. Ich freue mich auf Eure Meinungen.
Stefan
Stefan Rave
>
> > Was macht man eigentlich mit den Steuersignalen der
> > gestützten RAMs? Läßt man die einfach an der übrigen
> > "Rest"-Schaltung ohne Vorsichtsmaßnahmen oder pullt
> > man zu sicheren Pegeln (GND / IC-Betriebsspannung)
> > oder sollte man noch Gatter vorschalten, die auch
> > von der Batterie mit gestützt werden?
> >
> > Schließlich sollen ja keine ungewollten Schreib-
> > vorgänge stattfinden.
>
> Es reicht, wenn du das /CE-Signal auf High legst.
Hmm, sicher? Mir faellt gerade auf, dass z.B. im Datenblatt vom Cypress
CY7C1049V33L (512kx8 CMOS SRAM) der geringe Standby-Strom nur garantiert
wird, wenn alle Eingangsspannungen auf definierten Low- oder High-Pegeln
liegen (und /CE natuerlich auf High). Ob meine schoene Batterie im Nu
leer ist, wenn die Pegel undefiniert sind??
Vielleicht interpretiere ich aber auch die Angabe falsch: "VIN [V mit
Index IN] >= VCC - 0.3 V or VIN <= 0.3 V". Was die mit VIN meinen, steht
nirgends explizit.
Stefan Weinzierl
> Ich verstehe nicht, was das Gatter soll -- koennte ich /CE nicht einfach
> per Pull-Up-Widerstand auf High ziehen? Ist es wegen des Stromverbrauchs
> bei /CE = Low?
hier geht es nicht um den Stromverbrauch, sondern wie du richtig
festgestellt hast um das, was beim ein- und ausschalten passiert.
> Die Frage ist natuerlich, was genau beim Ein- und Ausschalten passiert,
> Die Sache mit den Goldcaps klingt nicht schlecht (in Verbindung mit
> einem NVRAM-Controller). Hat jemand Erfahrung mit den Dingern? Wie lange
> wuerden sie ein modernes Low-Power-SRAM im deaktivierten Zustand
> versorgen? Und: Was kosten sie, wo bekomme ich sie?
GoldCaps gibts bei Conrad, Reichelt,... je nach größe so 2-10DM.
aber warum GoldCap + NVRAM? Ich dachte, ein NVRAM hat ein EEPROM
integriert.
>
> > Die andere Möglichkeit wäre, wenn du das /CE-Signal mit einem Transistor
> > auf Low-Legst, solange die Betriebsspannung sicher anliegt.
>
> Hmm, das klingt so, als koennte /CE beim Ein- und Ausschalten immer noch
> flattern, richtig? Und bei Batteriebetrieb hinge /CE in der Luft (bzw.
> an spannungsloser Restschaltung), so dass mein CMOS-SRAM eventuell nicht
> zuverlaessig in den Low-Power-Standby ginge, oder seh ich das falsch?
stimmt, siehe oben
wobei ich die Transistor-Version der IC-Version vorziehen würde, aus dem
einfachem Grund weil's weniger Platz braucht.
Stefan Rave
> > Ich verstehe nicht, was das Gatter soll -- koennte ich /CE nicht einfach
> > per Pull-Up-Widerstand auf High ziehen? Ist es wegen des Stromverbrauchs
> > bei /CE = Low?
> hier geht es nicht um den Stromverbrauch, sondern wie du richtig
> festgestellt hast um das, was beim ein- und ausschalten passiert.
Warum ist ein Gatter geeigneter als ein Pull-Up-Widerstand? (Hoffend,
dass das keine allzu dumme Frage ist... :-)
> > Die Sache mit den Goldcaps klingt nicht schlecht (in Verbindung mit
> > einem NVRAM-Controller). Hat jemand Erfahrung mit den Dingern? Wie lange
> > wuerden sie ein modernes Low-Power-SRAM im deaktivierten Zustand
> > versorgen? Und: Was kosten sie, wo bekomme ich sie?
> GoldCaps gibts bei Conrad, Reichelt,... je nach größe so 2-10DM.
> aber warum GoldCap + NVRAM? Ich dachte, ein NVRAM hat ein EEPROM
> integriert.
Kleines Missverstaendnis, ich haette mich klarer ausdruecken sollen. Ein
NVRAM-Controller ist kein NVRAM. Die Hersteller nennen ICs, die man an
Standard-SRAM klemmt, um daraus "sozusagen NVRAM" zu machen,
NVRAM-Controller (habe mich inzwischen erkundigt). Da ist also kein
"echtes" NVRAM involviert. Der NVRAM-Controller schaltet lediglich auf
Batteriebetrieb, sobald die Primaerspannung zusammenbricht, und zieht
das durchgeschleifte /CE hoch.
In "echtem" NVRAM ist uebrigens kein EEPROM integriert. Ich weiss nicht,
ob das frueher mal so gehandhabt wurde, aber heute scheint die
verbreitete Loesung zu sein, in normales SRAM eine Batterie und eine
Backup-Logik ("NVRAM-Controller") zu integrieren, so dass Schreib- und
Lesezugriffszeiten mit denen von gewoehnlichem SRAM uebereinstimmen.
Kleine Anekdote am Rande: Damit die Batterie im Falle eines
SMD-Gehaeuses beim Loeten nicht erhitzt wird, wurden spezielle Gehaeuse
entwickelt, bei denen die Batterie nach dem Loeten aufgesetzt wird.
(Aber SMD brauche ich hier ohnehin nicht.)
Uebrigens, wen's interessiert: Maxim liefert sowas und das meiste andere
aus ihrem Sortiment als Gratis-Muster an jedermann, max. je 2 Exemplare
von bis zu 8 Typen, siehe
http://209.1.238.253/sl_requests.htm
> > > Die andere Möglichkeit wäre, wenn du das /CE-Signal mit einem Transistor
> > > auf Low-Legst, solange die Betriebsspannung sicher anliegt.
> >
> > Hmm, das klingt so, als koennte /CE beim Ein- und Ausschalten immer noch
> > flattern, richtig? Und bei Batteriebetrieb hinge /CE in der Luft (bzw.
> > an spannungsloser Restschaltung), so dass mein CMOS-SRAM eventuell nicht
> > zuverlaessig in den Low-Power-Standby ginge, oder seh ich das falsch?
> stimmt, siehe oben
> wobei ich die Transistor-Version der IC-Version vorziehen würde, aus dem
> einfachem Grund weil's weniger Platz braucht.
Ich meinte, das klingt so, als koennte *selbst bei der
Transistor-Version* /CE noch flattern, zumal /CE ohne Primaerspannung
undefiniert waere. -- Ist aber nur noch von akademischem Interesse, denn
ich werde wohl so 'nen NVRAM-Controller benutzen. Danke fuer Deine
Hinweise!
Stefan
Ernst Schwab
ich habe den Thread leider nicht so genau verfolgt, daher weiß ich nicht, ob
ein entsprechender Hinweis schon kam:
Es gibt auch die Kombination EEPROM/SRAM in einem Chip, beim Powerdown wird
dann mit der in einem Kondensator gespeicherten Energie der SRAM-Inhalt ins
EEPROM gerettet.
Ob's das in 3.3V gibt, die Chips preislich interessant und vor allen Dingen
auch verfügbar sind, müßtest Du natürlich klären.
http://www.zmd.de/memory/index.html (Made in Germany!)
Gruß
Ernst
Stefan Rave
danke fuer den Hinweis. Die Info war mir neu, und sie waere hochgradig
relevant, wenn's die Teile groesser als nur 32kx8 gaebe... (Ich
benoetige min. 256kx8.)
Stefan
Stefan Weinzierl
> Warum ist ein Gatter geeigneter als ein Pull-Up-Widerstand? (Hoffend,
> dass das keine allzu dumme Frage ist... :-)
Weil immer noch das Controller-Portpin dranhängt...
Nehmen wir mal ein Gatter mit Schmitt-Trigger-Eingängen und sagen, daß
der Controller nur dann Zugriff auf das RAM hat, wenn die
Betriebsspannung i.O. ist.
> In "echtem" NVRAM ist uebrigens kein EEPROM integriert. Ich weiss nicht,
Ich kenne (kannte) NVRAM's nur so, wie sie Ernst beschrieben hatte.
> > > Hmm, das klingt so, als koennte /CE beim Ein- und Ausschalten immer noch
> > > flattern, richtig? Und bei Batteriebetrieb hinge /CE in der Luft (bzw.
> > > an spannungsloser Restschaltung), so dass mein CMOS-SRAM eventuell nicht
> > > zuverlaessig in den Low-Power-Standby ginge, oder seh ich das falsch?
> > stimmt, siehe oben
> > wobei ich die Transistor-Version der IC-Version vorziehen würde, aus dem
> > einfachem Grund weil's weniger Platz braucht.
>
> Ich meinte, das klingt so, als koennte *selbst bei der
> Transistor-Version* /CE noch flattern, zumal /CE ohne Primaerspannung
> undefiniert waere.
Ähm, eigentlich nicht