Zwischen S und D?
Nicht zwischen G und S?
> damit der FET auch abschaltet wenn wenn die Schaltuhr das Gate nicht mehr auf minus
> zieht und wenn der nicht groesser als 30k ist schaltet der die Powerbank ein.
> Ich werde das noch mit der Schaltuhr ausprobieren.
Ja, normalerweise würde 100k an GS reichen, damit nicht ein Leckstrom den FET einschaltet.
Aber man kann auch 10k nehmen, um die Powerbank bereits allein darüber einzuschalten.
>> Rds(on)=0,0085 gilt bei 20V Gate-Spannung. Wir haben aber nur 2,3V.
>
> Dachte ich zuerst, stimmt aber nicht bei passend gewaehltem GS Widerstand
> steigt die Spannung auf 5V die Frage ist natuerlich ob das auch bei anderen
> Powerbanken funktioniert.
Genau das ist ein wichtiger Punkt.
>> Der Gate-threshold liegt zwischen 1,7V und 3V; ich suchte aus: 1V bis 2,5V;
>> So etwas ist entscheidend!
>
> Durchaus, kann ja sein dass ich die Schaltung auch an einem LiPo Akku verwenden will,
> der hat dann nur 3.7V.
> Da empfiehlt sich dann wohl der IRF7410, auch bei Reichelt zu haben allerdings kostet
> der 1,40 Euro.
> Gate Threshold zwischen 0.4 und 0.9V.
Der ist super!
SO-8 ist auch technisch günstig.
Durch die 8 Pins wird recht viel Wärme abgeführt.
> Oder fur 0.25 Euro den AO3401 mit etwas hoeherem Widerstand (60mOhm)
> und noch winzigerem SMD Gehaeuse...
Den würde ich nicht wählen.
Ich würde 10 Stk. IRF7410 bestellen.
Die technischen Eigenschaften haben bei mir Vorrang.
Ich würde unter das SO-8 pauschal WLP applizieren.
>> In Figure 2 ist sichtbar, daß dieser MOSFET eher ungeeignet ist.
>
> Die Powerbank wuerde er wohl nicht einschalten bei 2.3V, aber das ist
> wie ich jetzt weiss auch gar nicht noetig, das macht ja der Widerstand schon.
Schon, bei genau dieser Powerbank, aber portabel ist das nicht.
>>
>>> Problem: Das ist ein SMD-Bauteil. Loetzinn das unter 170°C schmilzt gibts bei Reichelt
>>> gar nicht, wie loetet man sowas ohne das Bauteil zu zerstoeren ?
>>>
>>
>> Ich habe einen MOSFET im DPAK-Gehäuse ausgesucht.
>> Das ist ebenso ein SMD-Gehäuse.
>
> So ist es, da koennte ich also auch den billigeren nehmen.
Für mich spielen die technischen Eigenschaften die Hauptrolle.
Mit dem IRF7410 kann eine universelle Schaltung gebaut werden.
In Fig.1 ist sichtbar, daß bereits bei 1V Gate-Spannung und nur
0,1V zwischen S und D mehr als 1A fließen können.
Man braucht da nur <1mA nach Masse, um im Kontext alle Lasten voll einzuschalten.
Den GS-Wid. braucht man nicht dafür, sondern der soll nur Leckströme außer Wirkung setzen.
>>
>> Ich löte so etwas ganz normal mit Lötkolben seit den 1980ern.
>> Steht im Datenblatt, daß das geht, und wie das geht.
>>
>> Ich kann auch die massive Kollektor-Platte des DPAK ganz normal mit Lötkolben löten.
>> Es kommt auf das Timing an; die Wärmekapazität ermöglicht das.
>> SMD-Reflow-Löten geht mit bis zu 270°C, ohne Schaden.
>> Mit 170°C Tj hat das nichts zu tun.
>
> Ja ich frage mich wie diese Temperatur unter 170 bleiben kann wenn man die
> Kollektor-Platte mit 270° loetet.
> Wahrscheinlich haelt er es einfach kurzzeitig aus, trotz ueberschreitung der 170.
> Der IRF7410 vertraegt sogar nur 150°C.
>
Das ist üblich; es gibt wenige Vorstöße auf 170°C (bei Plastik).
Aber das sind Junction-Temperaturen im Betrieb.
Ich brauche eine 3V-Kohle-Batterie zur Ohm-Messung bei meinem Analog-Multimeter.
Die werden offenbar nicht mehr hergestellt.
So habe ich mir Lithium-Knopfzellen 2450 3V gekauft, die ich verlöten muß.
Das muß sehr vorsichtig und kurzzeitig erfolgen - eine Sache für Profis.
Ich werde mit einem gummiartigen Polierklotz kleine Stellen polieren.
Besten Löthonig applizieren.
Dann vielleicht 0,7s lang eine Stelle (verbleit) verzinnen und abkühlen lassen.
Einen Draht verzinnen.
Diesen mit der Lötspitze kurz auf die verzinnte Stelle drücken, bis das verschmolzen ist.