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Peter Rachow - Transistor
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Feb 13, 2011, 2:59:33 PM2/13/11
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Yep. Jede Diode besitzt eine innere Sperrschicht, das ist der Bereich, wo n-
und p-leitendes Material sich berühren. Diese Sperrschicht ist elektrisch
neutral, weil die unterschiedlichen Ladungsträger aus der n- und p-Schicht
dort rekombinieren und ungeladene Atome bilden. Wird die Diode so in den
Stromkreis eingebaut, dass die Sperrschicht minimiert wird (- Pol des
Stromkreises auf Kathode der Diode), können Elektronen diese elektrisch
nicht leitende Schicht überwinden, zumindest wenn sie genug Energie
mitbringen.
und p-leitendes Material sich berühren. Diese Sperrschicht ist elektrisch
neutral, weil die unterschiedlichen Ladungsträger aus der n- und p-Schicht
dort rekombinieren und ungeladene Atome bilden. Wird die Diode so in den
Stromkreis eingebaut, dass die Sperrschicht minimiert wird (- Pol des
Stromkreises auf Kathode der Diode), können Elektronen diese elektrisch
nicht leitende Schicht überwinden, zumindest wenn sie genug Energie
mitbringen.
Ein Maß für die Energie eines Elektrons (e-) ist die elektrische Spannung.
Die Energie, die ein Elektron benötigt, um die Sperrschicht zu überwinden,
kann man dann am Spannunbgsabfall zwischen den Polen der Diode ablesen. Bei
Si sind das ca. 0,6V. Weiterhin bedeutet dies, dass ein e- eine bestimmte
Spannung braucht, um eine Diode druchfließen zu können. Ist die Energie
geringer (U<~06V für Si), kommt (fast) kein Stromfluss zu Stande.
hth
Peter
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