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Frage zu Verstaerkerstufe mit Dual-Gate FET
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Lutz Schulze
May 21, 2013, 10:48:14 AM5/21/13
to
Hallo,
ich habe mal eine Verst�ndnisfrage zu einer �blichen Schaltung mit Dual-Gate
FET, so wie z.B. hier in Abb. 77:
http://www.peter-rachow.de/k5_2.htm
Kann ich mir das so vorstellen, dass beide Gates auf dieselbe Drain-Source
Strecke wirken, an einem Gate der Arbeitspunkt f�r die Strecke eingestellt
wird und am anderen Gate die Spannung vom Eingangsschwingkreis wirkt?
Liegt der Vorteil des Dual-Gate FET dann darin dass der Schwingkreis weniger
belastet wird als wenn beides an einem Gate passieren w�rde?
Sorry falls das jemandem zu simpel erscheint, als ich fr�her mit diskreten
Bauelementen bastelte kannte ich die Teile nur vom H�rensagen ...
Lutz
--
Mit unseren Sensoren ist der Administrator informiert, bevor es Probleme im
Serverraum gibt: preiswerte Monitoring Hard- und Software-kostenloses Plugin
auch f�r Nagios - Nachricht per e-mail,SMS und SNMP: http://www.messpc.de
Messwerte nachtr�gliche W�rmed�mmung http://www.messpc.de/waermedaemmung.php
ich habe mal eine Verst�ndnisfrage zu einer �blichen Schaltung mit Dual-Gate
FET, so wie z.B. hier in Abb. 77:
http://www.peter-rachow.de/k5_2.htm
Kann ich mir das so vorstellen, dass beide Gates auf dieselbe Drain-Source
Strecke wirken, an einem Gate der Arbeitspunkt f�r die Strecke eingestellt
wird und am anderen Gate die Spannung vom Eingangsschwingkreis wirkt?
Liegt der Vorteil des Dual-Gate FET dann darin dass der Schwingkreis weniger
belastet wird als wenn beides an einem Gate passieren w�rde?
Sorry falls das jemandem zu simpel erscheint, als ich fr�her mit diskreten
Bauelementen bastelte kannte ich die Teile nur vom H�rensagen ...
Lutz
--
Mit unseren Sensoren ist der Administrator informiert, bevor es Probleme im
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auch f�r Nagios - Nachricht per e-mail,SMS und SNMP: http://www.messpc.de
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Joerg
May 21, 2013, 10:57:33 AM5/21/13
to
Lutz Schulze wrote:
> Hallo,
>
> ich habe mal eine Verst�ndnisfrage zu einer �blichen Schaltung mit Dual-Gate
> FET, so wie z.B. hier in Abb. 77:
>
> http://www.peter-rachow.de/k5_2.htm
>
> Kann ich mir das so vorstellen, dass beide Gates auf dieselbe Drain-Source
> Strecke wirken, an einem Gate der Arbeitspunkt f�r die Strecke eingestellt
> wird und am anderen Gate die Spannung vom Eingangsschwingkreis wirkt?
>
So isset.
> Hallo,
>
> ich habe mal eine Verst�ndnisfrage zu einer �blichen Schaltung mit Dual-Gate
> FET, so wie z.B. hier in Abb. 77:
>
> http://www.peter-rachow.de/k5_2.htm
>
> Kann ich mir das so vorstellen, dass beide Gates auf dieselbe Drain-Source
> Strecke wirken, an einem Gate der Arbeitspunkt f�r die Strecke eingestellt
> wird und am anderen Gate die Spannung vom Eingangsschwingkreis wirkt?
>
> Liegt der Vorteil des Dual-Gate FET dann darin dass der Schwingkreis weniger
> belastet wird als wenn beides an einem Gate passieren w�rde?
>
> Sorry falls das jemandem zu simpel erscheint, als ich fr�her mit diskreten
> Bauelementen bastelte kannte ich die Teile nur vom H�rensagen ...
>
Man kann sich das so vorstellen wie zwei FETs uebereinander, im Prinzip
wie eine Kaskodenschaltung. Diese hat den Vorteil dass der (hier
virtuelle) Source-Anschluss des oberen FETs auf einem halbwegs festen
Potenzial liegt, denn sein Gate ist ja auf einer festen Spannung. Damit
aendert sich bei Aussteuerung der Voltage Swing (Spannungshub?) am
ebenfalls virtuellen Drain des unteren FETs kaum -> hoehere Bandbreite.
--
Gruesse, Joerg
http://www.analogconsultants.com/
Lutz Schulze
May 22, 2013, 4:01:09 AM5/22/13
to
Am Tue, 21 May 2013 07:57:33 -0700 schrieb Joerg:
> Man kann sich das so vorstellen wie zwei FETs uebereinander, im Prinzip
> wie eine Kaskodenschaltung. Diese hat den Vorteil dass der (hier
> virtuelle) Source-Anschluss des oberen FETs auf einem halbwegs festen
> Potenzial liegt, denn sein Gate ist ja auf einer festen Spannung. Damit
> aendert sich bei Aussteuerung der Voltage Swing (Spannungshub?) am
> ebenfalls virtuellen Drain des unteren FETs kaum -> hoehere Bandbreite.
Danke, jetzt wird das klarer.
> Man kann sich das so vorstellen wie zwei FETs uebereinander, im Prinzip
> wie eine Kaskodenschaltung. Diese hat den Vorteil dass der (hier
> virtuelle) Source-Anschluss des oberen FETs auf einem halbwegs festen
> Potenzial liegt, denn sein Gate ist ja auf einer festen Spannung. Damit
> aendert sich bei Aussteuerung der Voltage Swing (Spannungshub?) am
> ebenfalls virtuellen Drain des unteren FETs kaum -> hoehere Bandbreite.
Joerg
May 22, 2013, 10:01:58 AM5/22/13
to
Lutz Schulze wrote:
> Am Tue, 21 May 2013 07:57:33 -0700 schrieb Joerg:
>
>> Man kann sich das so vorstellen wie zwei FETs uebereinander, im Prinzip
>> wie eine Kaskodenschaltung. Diese hat den Vorteil dass der (hier
>> virtuelle) Source-Anschluss des oberen FETs auf einem halbwegs festen
>> Potenzial liegt, denn sein Gate ist ja auf einer festen Spannung. Damit
>> aendert sich bei Aussteuerung der Voltage Swing (Spannungshub?) am
>> ebenfalls virtuellen Drain des unteren FETs kaum -> hoehere Bandbreite.
>
> Danke, jetzt wird das klarer.
>
Es gibt auch noch die ganz kurze Erklaerung in RF-Engineer Speak: Es
> Am Tue, 21 May 2013 07:57:33 -0700 schrieb Joerg:
>
>> Man kann sich das so vorstellen wie zwei FETs uebereinander, im Prinzip
>> wie eine Kaskodenschaltung. Diese hat den Vorteil dass der (hier
>> virtuelle) Source-Anschluss des oberen FETs auf einem halbwegs festen
>> Potenzial liegt, denn sein Gate ist ja auf einer festen Spannung. Damit
>> aendert sich bei Aussteuerung der Voltage Swing (Spannungshub?) am
>> ebenfalls virtuellen Drain des unteren FETs kaum -> hoehere Bandbreite.
>
> Danke, jetzt wird das klarer.
>
millert unten weniger :-)
Lutz Schulze
May 23, 2013, 6:45:54 AM5/23/13
to
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